1
) Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3
) The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
210
ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)
Surface mount Silicon-Zener Diodes Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden
(non-planar technology) für die Oberflächenmontage
Version 2004-05-13
Maximum power dissipation 1.3 W
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 1…200 V
Plastic case MELF DO-213AB
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Advantages of non-planar Zener-Diodes:
Improved clamping capability
Increased max. zener current I
Zmax
Chips produced with Plasma-EPOS technology
Molded plastic over passivated junction
Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:
Hohe Impulsfestigkeit
Hoher max. Arbeitsstrom I
Zmax
Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie
Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung T
A
= 50°C P
tot
1.3 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms T
A
= 25°C P
ZSM
40 W
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 45 K/W
1
)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal R
thT
< 10 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche
2.5
5.0
0.5 0.5
Type
Typ
