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WPM20058/TR

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型号: WPM20058/TR
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功能描述: Power MOSFET and Schottky Diode
PDF文件大小: 1599.72 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.]
制造商LOGO: WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.] LOGO
制造商网址: http://www.willsemi.com/index.php?siteid=2
捡单宝WPM20058/TR
PDF页面索引
120%
http://www.willsemi.com Page 6
WPM2005
Power Dissipation Characteristics
1. The package of WPM2005 is DFN3x2-8L, surface mounted on FR4 Board using 1 in sq pad sizeˈ
1 oz CuˈR
șJA
is 89 ć/W.
2. The power dissipation P
D
is based on T
J(MAX)
=150°C, and the relation between T
J
and P
D
is T
J
= T
a
+
R
șJA
* P
D
, the maximum power dissipation is determined by R
șJA
.
3. The R
șJA
is the thermal impedance from junction to ambient, using larger PCB pad size can get
smaller R
șJA
and result in larger maximum power dissipation.
89 ć/W when mounted on
a 1 in
2
pad of 1 oz copper.
0 2012 Rev 3.5
Jan,
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