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    • WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ PDF文件及第1页内容在线浏览

    WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ

    WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ首页预览图
    型号： WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ
    PDF文件：
    • WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ PDF文件
    • WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ PDF在线浏览
    功能描述： Wire Bondable High Range Chip Resistors
    PDF文件大小： 378.36 Kbytes
    PDF页数： 共3页
    制造商： IRCTT[IRC - a TT electronics Company.]
    制造商LOGO： IRCTT[IRC - a TT electronics Company.] LOGO
    制造商网址： http://www.irctt.com
    捡单宝WBC-B0202CRAS-01-2004-KJ
    PDF页面索引
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    120%
    IRC Advanced Film Division
    General Note
    IRC reserves the right to make changes in product specifi cation without notice or liability.
    All information is subject to IRC’s own data and is considered accurate at time of going to print.
    A subsidiary of
    TT electronics plc
    • Corpus Christi Texas 78411 USA
    © IRC Advanced Film Division
    Telephone: 361 992 7900 • Facsimile: 361 992 3377 • Email: afdsales@irctt.com • Website: www.irctt.com
    Wire Bondable
    High Range Chip Resistors
    •
    New CHROMAXX
    TM
    fi lm system
    •
    Discrete or tapped schematics
    •
    MIL inspection available
    •
    High resistor density
    WBC-CR Series
    IRC’s WBC-CR series now brings higher ohmic range thin fi lm
    capabilities to hybrid applications. Using IRC’s new CHROMAXX
    TM
    fi lm system on silicon substrates provides thin fi lm performance on an extremely small footprint. Custom
    resistance values, sizes and schematics are available on request from the factory.
    Absolute Tolerance
    to ±0.1%
    Absolute TCR
    to ±100ppm/°C
    Package Power Rating
    (@ 70°C)
    250mW
    Rated Operating Voltage
    (not to exceed P x R )
    100V
    Operating Temperature
    -55°C to +150°C
    Noise
    <-30dB
    Substrate Material
    Oxidized Silicon
    (10KÅ SiO
    2
    min)
    Substrate Thickness
    0.010˝ ±0.001
    (0.254mm ±0.025)
    Bond Pad
    Metallization
    Aluminum
    10KÅ minimum
    Gold
    15KÅ
    minimum
    Backside
    R0202 and
    T0303
    Silicon
    (Gold available)
    B0202
    Gold
    3KÅ
    minimum
    Passivation
    Silicon Dioxide or
    Silicon Nitride
    √
    (not to exceed P x R )
    √
    (not to exceed P x R )
    √
    Electrical Data
    0.020˝ ±0.001
    (0.508mm ±0.025)
    0.020˝ ±0.001
    (0.508mm ±0.025)
    0.020˝ ±0.001
    (0.508mm ±0.025)
    0.020˝ ±0.001
    (0.508mm ±0.025)
    0.030˝ ±0.001
    (0.762mm ±0.025)
    0.030˝ ±0.001
    (0.762mm ±0.025)
    0.004˝ min bond pad size
    0.004˝ min bond pad size
    Back contact
    Back contact
    Top contact
    Physical Data
    R0202 - Discrete
    T0303 - Tapped network ½R + ½R
    B0202 - Discrete back contact
    Top contact
    pad chamfered
    R
    R
    ½R
    ½R
    0.004˝ min bond pad size
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