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W9412G6CH

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型号: W9412G6CH
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功能描述: 2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
PDF文件大小: 1636.45 Kbytes
PDF页数: 共55页
制造商: WINBOND[Winbond]
制造商LOGO: WINBOND[Winbond] LOGO
制造商网址: http://www.winbond.com
捡单宝W9412G6CH
PDF页面索引
120%
W9412G6CH
Publication Release Date: Jul. 04, 2007
- 29 - Revision A06
Continued
-6 -75
SYM. PARAMETER
MIN. MAX. MIN. MAX.
UNIT NOTES
tRPRE DQS Read Preamble Time 0.9 1.1 0.9 1.1
tRPST DQS Read Postamble Time 0.4 0.6 0.4 0.6
tCK 11
tDS DQ and DM Setup Time
0.4 0.5
tDH DQ and DM Hold Time 0.4 0.5
tDIPW DQ and DM Input Pulse Width (for each input) 1.75 1.75
nS
tDQSH DQS Input High Pulse Width 0.35 0.35
tDQSL DQS Input Low Pulse Width 0.35 0.35
tDSS DQS Falling Edge to CLK Setup Time 0.2 0.2
tDSH DQS Falling Edge Hold Time from CLK 0.2 0.2
tCK 11
tWPRES Clock to DQS Write Preamble Set-up Time 0 0 nS
tWPRE DQS Write Preamble Time 0.3 0.25
tWPST DQS Write Postamble Time 0.4 0.6 0.4
tDQSS Write Command to First DQS Latching Transition 0.75 1.25 0.75 1.25
11
tDSSK UDQS – LDQS Skew (x 16) -0.25 0.25 -0.25 0.25
tCK
tIS Input Setup Time 0.8 0.9
tIH Input Hold Time 0.8 0.9
tIPW Control & Address Input Pulse Width (for each input) 2.2 2.2
tHZ
Data-out High-impedance Time from CLK,
CLK
-0.7 0.7 -0.75 0.75
tLZ
Data-out Low-impedance Time from CLK,
CLK
-0.7 0.7 -0.75 0.75
tT(SS) SSTL Input Transition 0.5 1.5 0.5 1.5
nS
tWTR Internal Write to Read Command Delay 1 1 tCK
tXSNR Exit Self Refresh to non-Read Command 75 75 nS
tXSRD Exit Self Refresh to Read Command 200 200 tCK
tREFI Refresh Interval Time (4k / 64mS) 15.6 15.6 µS 17
tMRD Mode Register Set Cycle Time 12 15 nS
9.7 AC Test Conditions
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Input High Voltage (AC) VIH VREF + 0.31 V
Input Low Voltage (AC) VIL VREF - 0.31 V
Input Reference Voltage VREF 0.5 x VDDQ V
Termination Voltage VTT 0.5 x VDDQ V
Differential Clock Input Reference Voltage VR Vx (AC) V
Input Difference Voltage. CLK and CLK Inputs (AC)
V
ID (AC)
1.5 V
Output Timing Measurement Reference Voltage VOTR 0.5 x VDDQ V
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