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VBJ1322

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型号: VBJ1322
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功能描述: N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PDF文件大小: 597.5 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
制造商LOGO: VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] LOGO
制造商网址: www.VBsemi.cn
捡单宝VBJ1322
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  • 万三科技(深圳)有限公司

    6

    0755-28198519,1375111476913751114769龙金进0755-28198519深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C万三科技,秉承原装11013029

  • VBJ1322
  • VBsemi(台湾微碧) 
  • 原厂COC随货 
  • 2022+ 
  • 500000 
  • 万三科技,秉承原装,购芯无忧 

  • 深圳市祺雅电子科技有限公司

    4

    1509997701915099977019张顺方深圳市福田区华强北海外装饰大厦3栋3单元60811016016

  • VBJ1322
  • VBsemi(台湾微碧) 
  • SOT223-3 
  • 22  
  • 39890 
  • 诚信合作 一站配齐 

PDF页面索引
120%
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FEATURE
S
•TrenchFET
®
Power MOSFET
AEC-Q101 Qualified
c
•100 % R
g
and UIS Tested
Not
es
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. Parametric verification ongoing.
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
() at
V
GS
= 10 V
0.019
R
DS(on)
() at
V
GS
= 4.5 V
0.021
I
D
(A)
7
Configuration S
ingle
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 °C
, unless otherwise noted)
P
A
RAMETER S
Y
MBOL LIMIT U
N
IT
Dr
ai
n-
So
urc
e Voltage
V
DS
30
V
Gate-
Source Voltage
V
GS
± 20
Continuous Drain Current
T
C
= 25 °C
I
D
7
A
T
C
= 125 °
C
4.5
Continuous Source Current (Diode Conduction)
I
S
5
P
ulsed Drain Current
a
I
DM
31
S
ing
le Pulse Avalanche Current
L = 0.1 mH
I
AS
10
Si
ngle Pulse Avalanche Energy
E
AS
5mJ
Maximu
m Power Dissipation
a
T
C
= 25 °C
P
D
4
W
T
C
= 125 °
C
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
- 55 to + 175 °C
THE
RMAL RESISTANCE RATINGS
P
ARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT
Junction-to-Ambient
PCB Mount
b
R
thJA
110
°C/
W
Junction-to-Foot (Drain)
R
thJF
38
N-Channel MOSFET
G
D
S
SOT
-223
G
D
S
D
VBJ1322
www.VBsemi.com
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