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QS8K51

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型号: QS8K51
PDF文件:
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功能描述: 100V NchNch Small Signal MOSFET
PDF文件大小: 2499.15 Kbytes
PDF页数: 共13页
制造商: ROHM[Rohm]
制造商LOGO: ROHM[Rohm] LOGO
制造商网址: http://www.rohm.com
捡单宝QS8K51
PDF页面索引
120%
QS8K51
                           
Datasheet
llElectrical characteristics (T
a
= 25°C) <Tr1 and Tr2>
Parameter Symbol Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Input capacitance
C
iss
V
GS
= 0V
- 290 -
pFOutput capacitance
C
oss
V
DS
= 25V
- 30 -
Reverse transfer capacitance
C
rss
f = 1MHz
- 20 -
Turn - on delay time
t
d(on)
*4
V
DD
50V,V
GS
= 10V
- 10 -
ns
Rise time
t
r
*4
I
D
= 1A
- 10 -
Turn - off delay time
t
d(off)
*4
R
L
= 49.
- 30 -
Fall time
t
f
*4
R
G
= 10Ω
- 15 -
llGate charge characteristics (T
a
= 25°C) <Tr1 and Tr2>
Parameter Symbol Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Total gate charge
Q
g
*4
V
DD
50V
- 4.7 -
nC
Gate - Source charge
Q
gs
*4
I
D
= 2A
- 1.2 -
Gate - Drain charge
Q
gd
*4
V
GS
= 5V
- 1.8 -
llBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (T
a
= 25°C)
<Tr1 and Tr2>
Parameter Symbol Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
I
S
T
a
= 25
- - 1.0
A
Pulse forward current
I
SP
*1
- - 6
Forward voltage
V
SD
*4
V
GS
= 0V, I
S
= 2A
- - 1.2 V
*1 Pw10μs , Duty cycle1%
*2 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*3 Mounted on a FR4 (25×25×0.8mm)
*4 Pulsed
                                                                                           
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20160831 - Rev.001
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