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Q67040-S4231

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型号: Q67040-S4231
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功能描述: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
PDF文件大小: 459.14 Kbytes
PDF页数: 共15页
制造商: INFINEON[Infineon Technologies AG]
制造商LOGO: INFINEON[Infineon Technologies AG] LOGO
制造商网址: http://www.infineon.com
捡单宝Q67040-S4231
PDF页面索引
120%
SKP06N60, SKB06N60
SKA06N60
8Jul-02
V
GE
, GATE-EMITTER VO L TAGE
0nC 15nC 30nC 45nC
0V
5V
10V
15V
20V
25V
480V
120V
C, CAPACITANCE
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
, GATE CHARGE V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAG E
Figure 16. Typical gate charge
(I
C
= 6A)
Figure 17. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(V
GE
= 0V, f = 1MHz)
t
sc
, SHORT CIRCUI T WI T HSTAND TIME
10V 11V 12V 13V 14V 15V
0
µs
5
µs
10
µs
15
µs
20
µs
25
µ
s
I
C(sc)
, SHORT CIRCUI T COLLECTOR CURRENT
10V 12V 14V 16V 18V 20V
0A
20A
40A
60A
80A
100A
V
GE
, GATE-EMITTER VO L TAG E V
GE
, GATE-EMITTER VO L TAGE
Figure 18. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitte r voltage
(V
CE
= 600V, start at T
j
= 25°C)
Figure 19. Typical short circuit collector
current as a function of gate-emitter voltage
(V
CE
600V, T
j
= 150°C)
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