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Q67040-S4231

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型号: Q67040-S4231
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功能描述: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
PDF文件大小: 459.14 Kbytes
PDF页数: 共15页
制造商: INFINEON[Infineon Technologies AG]
制造商LOGO: INFINEON[Infineon Technologies AG] LOGO
制造商网址: http://www.infineon.com
捡单宝Q67040-S4231
PDF页面索引
120%
SKP06N60, SKB06N60
SKA06N60
10 Jul-02
I
F
, FORWARD CURRENT
0.0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
100°C
-55°C
25°C
150°C
V
F
, FORWARD VO LT AGE
-40°C 0°C 40°C 80 °C 120°C
1.0V
1.5V
2.0V
V
F
, FORWARD VOLTAGE T
j
, JUNCTION TEMPERA T URE
Figure 24. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
Figure 25. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
Z
thJCD
, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 1s
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D=0.5
Z
thJCD
, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 1s 10
s
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
10
1
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D=0.5
t
p
, PULSE WIDTH t
p
, PULSE WIDTH
Figure 26. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(D = t
p
/ T)
Figure 27. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(D = t
p
/ T)
I
F
= 6A
I
F
= 12
A
C
1
=
τ
1
/R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/R
2
R ,(K/W)
τ
, (s)=
0.523 7.25*10
-2
0.550 6.44*10
-3
0.835 7.13*10
-4
1.592 7.16*10
-5
C
1
=
τ
1
/R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/R
2
R ,(K/W)
τ
, (s)=
2.852 1.887
0.654 4.64*10
-2
0.665 2.88*10
-3
0.828 3.83*10
-4
SKP06N60
SKB06N60
SKA06N60
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