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AP9992AGP-HF

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型号: AP9992AGP-HF
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功能描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
PDF文件大小: 131.41 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]
制造商LOGO: A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.] LOGO
制造商网址: http://www.a-power.com.tw
捡单宝
PDF页面索引
100%
AP9992AGP-H
F
Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Maximum Continuous Drain
Current v.s. Case Temperature
4
1
10
100
1000
0.01 0.1 1 10 100 1000
V
DS
,Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A)
T
C
=25
o
C
S
in
g
le Puls
e
100us
1ms
10ms
100m
s
DC
0.01
0.1
1
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
t , Pulse Width (s)
Normalized Th e rmal Re sponse (R
thjc
)
P
DM
Duty Factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor = 0.5
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
12
0 40 80 120
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
GS
, Gate to S ource Voltage ( V)
I
D
=40A
V
DS
=48V
0
2000
4000
6000
8000
1 5 9 13 17 21 25 29
V
DS
,Drain-to-Source Voltage (V)
C (pF)
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
Operation in this area
limited by R
DS(ON)
0
40
80
120
160
200
0246810
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
, Drain Current (A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
V
DS
=5V
0
30
60
90
120
150
180
25 50 75 100 125 150
T
C
, Case Temperature (
o
C )
I
D
, Drain Current (A)
T
j
=-40
o
C
Limited by package
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