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AP9977GJ-HF

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型号: AP9977GJ-HF
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功能描述: N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
PDF文件大小: 1462.07 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]
制造商LOGO: DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.] LOGO
制造商网址: http://www.doingter.cn/
捡单宝AP9977GJ-HF
PDF页面索引
120%
www.doingter.cn
2
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
V
GS
=0V,I
D
=250μA
60
---
---
V
I
DSS
V
GS
=0V, V
DS
=60V
---
---
1
μA
I
GSS
V
GS
=±20V, V
DS
=0A
---
---
±100
nA
On Characteristics
V
GS(th)
V
GS
=V
DS
, I
D
=250μA
1.2
1.8
2.5
V
R
DS(ON)
V
GS
=10V,I
D
=6A
---
60
75
mΩ
V
GS
=4.5V,I
D
=3A
---
70
90
G
FS
V
DS
=10V, I
D
=3A
---
4
---
S
Dynamic Characteristics
C
iss
V
DS
=15V, V
GS
=0V, f=1MHz
---
500
725
pF
C
oss
---
45
65
C
rss
---
16
30
Switching Characteristics
t
d(on)
V
DD
=30V, I
D
=1A,
V
GS
=10V,R
GEN
=3.3Ω
---
2.9
---
ns
t
r
---
9.5
---
ns
t
d(off)
---
18.4
---
ns
t
f
---
5.3
---
ns
Q
g
V
GS
=10V, V
DS
=48V,
I
D
=6A
---
9.3
13
nC
Q
gs
---
2.1
3
nC
Q
gd
---
1.8
4
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=1A
---
---
1
V
AP9977GJ-HF
Electrical Characteristics(T
C
=25 unless otherwise noted)
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