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AM29LV800BT90WBCB

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型号: AM29LV800BT90WBCB
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功能描述: 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
PDF文件大小: 569.02 Kbytes
PDF页数: 共42页
制造商: AMD[Advanced Micro Devices]
制造商LOGO: AMD[Advanced Micro Devices] LOGO
制造商网址: http://www.amd.com
捡单宝AM29LV800BT90WBCB
PDF页面索引
120%
30 Am29LV800B
PRELIMINARY
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
70R 80 90 120JEDEC Std Description Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1) Min 70 80 90 120 ns
t
AVWL
t
AS
Address Set up Tim e Min 0 ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time Min 45 45 45 50 ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Tim e Min 35 35 45 50 ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time Min 0 ns
t
OES
Output Enable Setup Time Min 0 ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min 0 ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time Min 0 ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time Min 0 ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width Min 35 35 35 50 ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Wid th Hig h Min 30 ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte Typ 9
µs
Word Typ 11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2) Typ 0.7 sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1) Min 50 µs
t
RB
Recovery Time from RY/BY# Min 0 ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay Min 90 ns
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