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SW7N65D

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型号: SW7N65D
PDF文件:
  • SW7N65D PDF文件
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功能描述: N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET
PDF文件大小: 724.48 Kbytes
PDF页数: 共7页
制造商: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]
制造商LOGO: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.] LOGO
制造商网址: http://www.samwinsemi.com
捡单宝SW7N65D
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品牌
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • SW7N65D
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 462000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • SW7N65D
  • SAMWIN 
  • TO-251TO-220FTO-26 
  • 16+ 
  • 110 
  • 只做原装正品,支持含税 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • SW7N65D
  • SAMWIN 
  • TO-251TO-262 
  • 2021+ 
  • 29860 
  • 100%原装进口现货 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • SW7N65D
  • SAMWIN 
  • TO-251TO-262 
  • 最新批? 
  • 19752 
  • 原厂原装现货匹配 

PDF页面索引
120%
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Jun. 2017. Rev. 5.0 1/7
SW7N65D
N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET
Absolute maximum ratings
Symbol Parameter
Value
Unit
TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F
V
DSS
Drain to source voltage 650 V
I
D
Continuous drain current (@T
C
=25
o
C) 7* A
Continuous drain current (@T
C
=100
o
C) 4.4* A
I
DM
Drain current pulsed
(note 1)
28 A
V
GS
Gate to source voltage
± 30
V
E
AS
Single pulsed avalanche energy (note 2) 430 mJ
E
AR
Repetitive avalanche energy (note 1) 40 mJ
dv/dt Peak diode recovery dv/dt (note 3) 5 V/ns
P
D
Total power dissipation (@T
C
=25
o
C) 208.3 173.6 27.8 W
Derating factor above 25
o
C 1.67 1.39 0.22 W/
o
C
T
STG
, T
J
Operating junction temperature & storage temperature -55 ~ + 150
o
C
T
L
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8 from case for 5 seconds.
300
o
C
Thermal characteristics
Symbol Parameter
Value
Unit
TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F
R
thjc
Thermal resistance, Junction to case 0.6 0.72 4.5
o
C/W
R
thja
Thermal resistance, Junction to ambient 60 82 50
o
C/W
*. Drain current is limited by junction temperature.
BV
DSS
: 650V
I
D
: 7A
R
DS(ON)
: 1.1Ω
1
2
3
Order Codes
Item Sales Type Marking Package Packaging
1 SW P 7N65D
SW7N65D TO-220 TUBE
2 SW I 7N65D
SW7N65D TO-251 TUBE
3 SW N 7N65D
SW7N65D TO-251N TUBE
4 SW D 7N65D
SW7N65D TO-252 REEL
5 SW F 7N65D
SW7N65D TO-220F TUBE
1. Gate 2. Drain 3. Source
TO-220
TO-251 TO-252
TO-220F
Features
High ruggedness
Low R
DS(ON)
(Typ 1.1)@V
GS
=10V
Low Gate Charge (Typ 30nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
Application:Charge,LED,PC Power
General Description
This power MOSFET is produced with advanced technology of SAMWIN.
This technology enable the power MOSFET to have better characteristics, including fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics.
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
TO-251N
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