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SW7N60R

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型号: SW7N60R
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功能描述: N-channel TO-220 MOSFET
PDF文件大小: 677.48 Kbytes
PDF页数: 共5页
制造商: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]
制造商LOGO: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.] LOGO
制造商网址: http://www.samwinsemi.com
捡单宝SW7N60R
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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • SW7N60R
  • SAMWIN 
  • TO-220 
  • 2021+ 
  • 29860 
  • 100%原装进口现货 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • SW7N60R
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 36000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • SW7N60R
  • SAMWIN 
  • TO-220 
  • 12+ 
  • 85 
  • 只做原装正品,支持含税 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • SW7N60R
  • SAMWIN 
  • TO-220 
  • 最新批? 
  • 16781 
  • 原厂原装现货匹配 

PDF页面索引
120%
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
May. 2014. Rev.1.0
Features
High ruggedness
R
DS(ON)
(Max1.25)@V
GS
=10V
Gate Charge (Typical 19nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
N-channel TO-220 MOSFET
Absolute maximum ratings
Thermal characteristics
Symbol Parameter Value Unit
R
thjc
Thermal resistance, Junction to case 5.3
o
C/W
R
thcs
Thermal resistance, Case to Sink
o
C/W
R
thja
Thermal resistance, Junction to ambient 48.2
o
C/W
1/5
BV
DSS
: 600V
I
D
: 7A
R
DS(ON)
:1.25Ω
1
2
3
SW7N60R
SAMWIN
Item Sales Type Marking Package Packaging
1 SW P 7N60
SW7N60R TO-220 TUBE
Order Codes
Symbol Parameter Value Unit
V
DSS
Drain to Source Voltage 600 V
I
D
Continuous Drain Current (@T
C
=25
o
C) 7* A
Continuous Drain Current (@T
C
=100
o
C) 4.4* A
I
DM
Drain current pulsed (note 1) 28 A
V
GS
Gate to Source Voltage
± 30
V
E
AS
Single pulsed Avalanche Energy (note 2) 453 mJ
E
AR
Repetitive Avalanche Energy (note 1) 117 mJ
dv/dt Peak diode Recovery dv/dt (note 3) 5 V/ns
P
D
Total power dissipation (@T
C
=25
o
C) 23.8 W
Derating Factor above 25
o
C 0.2 W/
o
C
T
STG
, T
J
Operating Junction Temperature & Storage Temperature -55 ~ + 150
o
C
T
L
Maximum Lead Temperature for soldering
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.
300
o
C
General Description
This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high efficient DC to DC
converter block and switch mode power supply.
*. Drain current is limited by junction temperature.
1. Gate 2. Drain 3. Source
1
2
3
TO-220
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