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SW10N70K

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型号: SW10N70K
PDF文件:
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功能描述: N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET
PDF文件大小: 1052.01 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]
制造商LOGO: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.] LOGO
制造商网址: http://www.samwinsemi.com
捡单宝SW10N70K
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司

    16

    0755-8324505018923762408 “13538131418”张小姐0755-82785939上步工业区501栋1109-1110科思奇电子公司主要经营:AD、ST、ATMEL、ALTERA、ON、XILINX、CY、IR、TI等知名品牌11011913

  • SW10N70K
  • SAMWIN芯派 
  • TO-220F 
  • 21+ 
  • 5000 
  • 全新原装现货 

  • 深圳市祺雅电子科技有限公司

    4

    1509997701915099977019张顺方深圳市福田区华强北海外装饰大厦3栋3单元60811016016

  • SW10N70K
  • Samwin(芯派) 
  • TO-220F 
  • 22  
  • 39890 
  • 诚信合作 一站配齐 

  • 万三科技(深圳)有限公司

    6

    0755-23763516,1881859846518818598465王俊杰0755-28198519深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C万三科技,秉承原装11013029

  • SW10N70K
  • Samwin(芯派) 
  • 原厂COC随货 
  • 2022+ 
  • 500000 
  • 万三科技,秉承原装,购芯无忧 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • SW10N70K
  • Samwin(芯派) 
  • TO-220F-3 
  • 23+ 
  • 35000 
  • ★★100%原装★正品现货★一级代理商★ 

PDF页面索引
120%
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
SW10N70K
May. 2016. Rev. 4.0 1/6
Absolute maximum ratings
Symbol Parameter
Value
Unit
TO-220F TO-252
V
DSS
Drain to source voltage 700 V
I
D
Continuous drain current (@T
C
=25
o
C) 10* A
Continuous drain current (@T
C
=100
o
C) 6.3* A
I
DM
Drain current pulsed (note 1) 40 A
V
GS
Gate to source voltage
± 30
V
E
AS
Single pulsed avalanche energy (note 2) 120 mJ
E
AR
Repetitive avalanche energy (note 1) 15 mJ
dv/dt Peak diode recovery dv/dt (note 3) 5 V/ns
P
D
Total power dissipation (@T
C
=25
o
C) 25.5 240.4 W
Derating factor above 25
o
C 0.2 1.9 W/
o
C
T
STG
, T
J
Operating junction temperature & storage temperature -55 ~ + 150
o
C
T
L
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8 from case for 5 seconds.
300
o
C
Thermal characteristics
Symbol Parameter
Value
Unit
TO-220F TO-252
R
thjc
Thermal resistance, Junction to case 4.9 0.5
o
C/W
R
thja
Thermal resistance, Junction to ambient 48.7
o
C/W
*. Drain current is limited by junction temperature.
1. Gate 2. Drain 3. Source
TO-220F
Order Codes
Item Sales Type Marking Package Packaging
1 SW F 10N70K SW10N70K TO-220F TUBE
2 SW D 10N70K SW10N70K TO-252 REEL
1
2
3
N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET
Features
High ruggedness
Low R
DS(ON)
(Typ 0.36)@V
GS
=10V
Low Gate Charge (Typ 29nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
Application:Charge,LED,TV-Power
General Description
This power MOSFET is produced with super junction advanced technology of SAMWIN.
This technology enable the power MOSFET to have better characteristics, including fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics.
BV
DSS
: 700V
I
D
: 10A
R
DS(ON)
: 0.36Ω
1
2
3
TO-252
1
2
3
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询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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