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SW10N65K

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型号: SW10N65K
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功能描述: N-channel TO-220F/TO251N /TO-220 MOSFET
PDF文件大小: 1023.62 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]
制造商LOGO: SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.] LOGO
制造商网址: http://www.samwinsemi.com
捡单宝SW10N65K
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • SW10N65K
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 345000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    7

    0755-84877094“17503034873”13725596657付小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室11012598

  • SW10N65K
  • SAMWIN 
  • TO-251 
  • 20+ 
  • 5690 
  • 原装进口,支持技术服务,提供样品 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • SW10N65K
  • TO-220F 
  • SAMWIN 
  • 10+ 
  • 81 
  • 只做原装正品,支持含税 

  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

  • SW10N65K
  • TO-220F 
  • SAMWIN 
  • 21+ 
  • 2686 
  • 原装现货 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • SW10N65K
  • TO-220F 
  • SAMWIN 
  • 最新批? 
  • 17254 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳市大源实业科技有限公司

    7

    0755-8486207015302619915,13762584085李小姐深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座70711012571

  • SW10N65K
  • SAMWIN 
  • TO-251 
  • 22+ 
  • 5690 
  • 公司原装现货,量大可定 

PDF页面索引
120%
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Oct. 2014. Rev.3.0
SW10N65K
Features
High ruggedness
R
DS(ON)
(Max 0.4)@V
GS
=10V
Gate Charge (Typical 29nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
N-channel TO-220F/TO251N /TO-220 MOSFET
Absolute maximum ratings
Symbol Parameter
Value
Unit
TO220F TO251N TO-220
V
DSS
Drain to Source Voltage 650 V
I
D
Continuous Drain Current (@T
C
=25
o
C) 10* A
Continuous Drain Current (@T
C
=100
o
C) 6.3* A
I
DM
Drain current pulsed (note 1) 40 A
V
GS
Gate to Source Voltage
± 30
V
E
AS
Single pulsed Avalanche Energy (note 2) 270 mJ
E
AR
Repetitive Avalanche Energy (note 1) 60 mJ
dv/dt Peak diode Recovery dv/dt (note 3) 5 V/ns
P
D
Total power dissipation (@T
C
=25
o
C) 25.5 96.2 178.6 W
Derating Factor above 25
o
C 0.2 0.77 1.43 W/
o
C
T
STG
, T
J
Operating Junction Temperature & Storage Temperature -55 ~ + 150
o
C
T
L
Maximum Lead Temperature for soldering
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.
300
o
C
Thermal characteristics
Symbol Parameter
Value
Unit
TO220F TO251N TO-220
R
thjc
Thermal resistance, Junction to case 4.9 1.3 0.70
o
C/W
R
thcs
Thermal resistance, Case to Sink
o
C/W
R
thja
Thermal resistance, Junction to ambient 48.7 80.0 53.7
o
C/W
1/6
*. Drain current is limited by junction temperature.
BV
DSS
: 650V
I
D
: 10A
R
DS(ON)
: 0.4Ω
1. Gate 2. Drain 3. Source
1
2
3
1
2
3
TO-220F
SAMWIN
Item Sales Type Marking Package Packaging
1 SW F 10N65
SW10N65K TO-220F TUBE
2 SW I 10N65
SW10N65K TO251N TUBE
3 SW P 10N65
SW10N65K TO-220 TUBE
Order Codes
General Description
This power MOSFET is produced with advanced super-junction technology of SAMWIN.
This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast
switching time, excellent avalanche characteristics, low gate charge and especially in
low on resistance. This power MOSFET is usually used at high efficient DC to DC converter
block and switch mode power supply.
TO-251N
1
2
3
1
2
3
TO-220
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询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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