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KDR322_15

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型号: KDR322_15
PDF文件:
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功能描述: SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
PDF文件大小: 351.89 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝KDR322_15
PDF页面索引
120%
2008. 9. 8 1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KDR322
SILICON EPITAXIAL
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
Revision No : 3
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES
Low Forward Voltage : V
F
=0.54V (Typ.).
Low Reverse Current : I
R
=5 A (Max.).
Small Package : USM.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM
MILLIMETERS
A
B
D
E
1. N.C
2. ANODE
3. CATHODE
USM
2.00 0.20
1.25 0.15
0.90 0.10
0.3+0.10/-0.05
2.10 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
C
G
H
J
K
L
K
1
3
2
E
B
D
A
J
G
C
L
H
MM
N
N
M
0.42 0.10
N
0.10 MIN
3
2
1
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
UL
Type Name
Marking
Lot No.
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Forward Voltage
V
F
(1) I
F
=1mA
- 0.28 -
V
V
F
(2) I
F
=10mA
- 0.36 -
V
F
(3) I
F
=100mA
- 0.54 0.60
Reverse Current
I
R
V
R
=40V
- - 5
A
Total Capacitance
C
T
V
R
=0, f=1MHz
- 18 25 pF
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Maximum (Peak) Reverse Voltage
V
RM
45 V
Reverse Voltage
V
R
40 V
Maximum (Peak) Forward Current
I
FM
300 mA
Average Forward Current
I
O
100 mA
Power Dissipation
P
D
100 mW
Junction Temperature
T
j
125
Storage Temperature Range
T
stg
-55 125
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