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K3520PQ-XH

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型号: K3520PQ-XH
PDF文件:
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功能描述: Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF文件大小: 52.23 Kbytes
PDF页数: 共3页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝K3520PQ-XH
PDF页面索引
120%
2010. 4. 29 1/3
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
K3520PQ-XH
Common-Drain Dual N-Channel
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Revision No : 0
General Description
The K3520PQ-XH is a Dual N-channel MOSFET designed for use as a
bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration.
FEATURES
Low on-state resistance
R
DS(ON)1
= 16m MAX (V
GS
=4.5V, I
S
=1.0A)
R
DS(ON)2
= 17m MAX (V
GS
=3.9V, I
S
=1.0A)
R
DS(ON)3
= 20m MAX (V
GS
=3.5V, I
S
=1.0A)
MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise noted)
G1
Rg Rg
D
S1
G2
D
S2
180 10 m
+
_
2000
1080
G2
S2
S1
G1
BOTTOM : COMMON DRAIN
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
24 V
Gate-Source Voltage
V
GSS
12
V
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
Equivalent Circuit
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