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E65A27VBS

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型号: E65A27VBS
PDF文件:
  • E65A27VBS PDF文件
  • E65A27VBS PDF在线浏览
功能描述: STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)
PDF文件大小: 378.17 Kbytes
PDF页数: 共1页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝E65A27VBS
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  • 深圳市安富世纪科技有限公司

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  • E65A27VBS
  • KEC 
  • B-PF 
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

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PDF页面索引
120%
2002. 10. 9 1/1
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
E65A27VBS, E65A27VBR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
Revision No : 0
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES
Average Forward Current : I
O
=65A.
Zener Voltage : 27V(Typ.)
POLARITY
E65A27VBS (+ Type)
E65A27VBR (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM MILLIMETERS
B-PF
Φ11.5 MAX
Φ12.75+0.09-0.00
Φ1.3 0.04
4.2 0.2
8.0 0.2
TYP 0.5
Φ10.0 0.2
0.4 0.1x45
0.2+0.1
28.35 0.5
A
8.5 MAX
H
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
F
E
I
D
G
B
J
K
A
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Forward Voltage
V
F
I
FM
=100A
- - 1.05 V
Zener Voltage
V
Z
I
Z
=10mA
24 27 29 V
Reverse Current
I
R
V
R
=20V
- - 0.2
A
Transient Thermal Resistance
V
F
I
FM
=100A, I
M
=100mA, Pw=100mS
- - 50 mV
Breakdown Voltage
V
br
I
rsm
=65A, Pw=10mS
- - 34 V
Temperature Coefficient
T
I
Z
=10mA
- 15.7 -
mV/
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
HI
R
Ta=150 , V
R
=20V
- - 100
A
Temperature Resistance
R
th
DC total junction to case - - 0.6
/W
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Average Forward Current
I
F(AV)
65 A
Peak 1 Cycle Surge Current
I
FSM
450 (60Hz) A
Non-Repetitive Peak
Reverse Surge Current (10mS)
I
RSM
65 A
Transient Peak Reverse Voltage
V
RSM
20 V
Peak Reverse Voltage
V
RM
20 V
Junction Temperature
T
j
-40 215
Storage Temperature Range
T
stg
-40 215
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