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BSS66

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型号: BSS66
PDF文件:
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功能描述: SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
PDF文件大小: 36.98 Kbytes
PDF页数: 共1页
制造商: ZETEX[Zetex Semiconductors]
制造商LOGO: ZETEX[Zetex Semiconductors] LOGO
制造商网址: http://www.diodes.com/
捡单宝BSS66
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    5

    0755-2738127418098996457董先生www.nowchip.com11015320

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  • 中国军工指定供应商 

  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

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    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

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  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市成源运利电子科技有限公司

    8

    159-1399248015913992480林先生深圳市福田区华强路东方时代广场A270511012130

  • BSS66
  • ZETEX 
  • SOT-23 
  • 19+ROHS 
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    7

    0755-84877094“17503034873”13725596657付小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室11012598

  • BSS66
  • ZETEX 
  • SOT-23 
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  • 原装进口,支持技术服务,提供样品 

  • 深圳诚思涵科技有限公司

    8

    0755-23947236/8301550615302723671/15820783671曾小姐0755-82815131深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室11011880

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  • 2019+ 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

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  • INFINEON/英飞凌 
  • SOT-23 
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  • 原装一级代理 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

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  • DIODES/美台 
  • SOT23 
  • 2019+ 
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PDF页面索引
120%
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 2  SEPTEMBER 1995
PARTMARKING DETAILS  BSS66 - M6
BSS67 - M7
BSS66R - M8
BSS67R - M9
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Collector-Base Voltage V
CBO
60 V
Collector-Emitter Voltage V
CEO
40 V
Emitter-Base Voltage V
EBO
6V
Peak Pulse Current I
CM
200 mA
Continuous Collector Current I
C
100 mA
Base Current I
B
50 mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C P
TOT
330 mW
Operating and Storage Temperature Range t
j
:t
stg
-55 to +150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Emitter Breakdown Voltage V 40 V I =1mA
Collector-Base Breakdown Voltage V
60 V
I
=10µA
Emitter-Base Breakdown Voltage V
6V
I
=10µA
Collector- Emitter Cut-off Current I
50 nA V =30V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
0.20
0.30
V
V
I =10mA, I =1mA
I
=50mA, I =5mA*
Base-Emitter Saturation Voltage V
0.65 0.85
0.95
V
V
I
C
=10mA, I =1mA
I
=50mA, I =5mA*
Static Forward Current BSS66
Transfer Ratio
h
20
35
50
30
15
150
I
=100µA,
I
=1mA,
I
=10mA, V =1V
I
=50mA*,
I
=100mA*,
Static Forward Current BSS67
Transfer Ratio
h
40
70
100
60
30
300
I
=100µA,
I
=1mA,
I
=10mA, V =1V
I
=50mA*,
I
=100mA*,
Transition Frequency BSS66
BSS67
f
250
300
MHz
MHz
I =10mA, V =20V
f=100MHz
Collector-Base Capacitance C
4pF V=5V, f=100kHz
Emitter-Base Capacitance C
8pF V=0.5V, f=100kHz
Noise Figure N Typ. 6 dB
I
=100µA, V =5V
R
=1k, f=10Hz to15.7 kHz
Switching times: Delay; Rise
Storage Time
Fall Time
t
; t
t
t
35
200
50
ns
ns
ns
V
=3V, I =10mA
I
= I =1mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
BSS66
BSS67
C
B
E
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