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BSS123

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型号: BSS123
PDF文件:
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功能描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
PDF文件大小: 45.09 Kbytes
PDF页数: 共1页
制造商: ZETEX[Zetex Semiconductors]
制造商LOGO: ZETEX[Zetex Semiconductors] LOGO
制造商网址: http://www.diodes.com/
捡单宝BSS123
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 深圳市水星电子有限公司

    6

    0755-8958560913632880560深圳市龙岗区平湖街道华南城5号交易馆B1C17711012929

  • BSS123,215
  • Nexperia 
  • SOT-23 
  • 23+ 
  • 44375 
  • 水星电子只做原装,一站式BOM配单。 

  • 奋钧智能(深圳)科技有限公司

    5

    0755-83229740/07552871170915773539469王小姐0755-82787892深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD一期A座130611015545

  • BSS123
  • ON/安森美 
  • SOT-23-3 
  • 23+ 
  • 5000000 
  • 原厂现货 

  • 深圳市威雅利发展有限公司

    7

    1812404712018124047120韩雪华强北路1019号华强广场A16楼01012660

  • BSS123
  • ON/安森美 
  • SOT-23 
  • 21+ 
  • 9163 
  • 终端可免费提供样品,欢迎咨询。 

  • 深圳市海芯城电子科技有限公司

    4

    (0755)8353884817727879644朱先生深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路154号上步工业区19栋上步工业区305栋501(5C03)11016619

  • BSS123,215
  • NEXPERIA/安世 
  • SOT-23 
  • 23+ 
  • 85895 
  • 全新原装,免费送样! 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    5

    0755-2738127418098996457董先生www.nowchip.com11015320

  • BSS123
  • 一手货源 
  • 一手货源 
  • 一手货源 
  • 3380 
  • 中国军工指定供应商 

  • 深圳市前海合创智源科技有限公司

    4

    0755-2359649518038159692深圳市宝安区新安街道荣信兴创意园A座501代理华润微,3PEAK,微源,SCHOTT, 恒泰柯,iWATT11016807

  • BSS123-7-F
  • DIODES 
  • SOT23 
  • 23+ 
  • 10000 
  • 原装现货 现货以QQ咨询为准 

  • 深圳市吉铭贸易有限公司

    5

    1341504188813415041888廖小姐深圳市福田区3031号汉国中心130311013590

  • BSS123N H6327
  • Infineon(英飞凌) 
  • PG-SOT23-3 
  • 21+22+ 
  • 12000 
  • 实单欢迎来询! 

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司

    12

    0755-8281301819129911934史仙雁0755-83267787华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室11012618

  • BSS123-7-F
  • DIODES/美台 
  • SOT-23-3 
  • 19+ 
  • 349340 
  • ?全新原装原盒原标现货热卖 

  • 深圳市丰芯源科技有限公司

    5

    13725519033,0755-2819552513549885999肖先生龙华区民治街道港深国际中心B102811013658

  • BSS123N H6433
  • InfineonTechnologies 
  • SOT-23-3 
  • 23+ 
  • 8200 
  • 原装现货,假一罚十 

  • 深圳市万政电子有限公司

    4

    1894879463618948794636欧阳先生深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20611015968

  • BSS123
  • On 
  •  
  • 新 
  • 10000 
  • 原装现货 

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司

    12

    1368951319413689513194成丽园0755-83266697华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室11012619

  • BSS123LT1G
  • ON/安森美 
  • SOT-23 
  •  
  • 9880 
  • ?全新原装原盒原标现货热卖 

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司

    12

    0755-8281301819129911934史仙雁0755-8327787华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室11012620

  • BSS123
  • NEXPERIA/安世 
  • SOT-23-3 
  • 19+ 
  • 65320 
  • ?全新原装原盒原标现货热卖 

  • 深圳市科芯半导体有限公司

    5

    0755-83233639,0755-8322270113975536999,13923782674吴先生,刘先生深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B11013635

  • BSS123
  • ONSemiconductor 
  • 原装 
  • 21+ 
  • 8000 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价! 

  • 深圳市泓建半导体有限公司

    5

    1861719550818617195508蔡永记深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12深圳市泓建半导体有限公司11015415

  • BSS123NH6327
  • INFINEONTECHNOLOG 
  • 原装 
  • 22+ 
  • 10000 
  • 全新原装现货 

  • 深圳市成源运利电子科技有限公司

    8

    159-1399248015913992480林先生深圳市福田区华强路东方时代广场A270511012130

  • BSS123
  • ON 
  • SOT-23 
  • 19+ROHS 
  • 3800 
  • 全新原装现货,假一赔十 

  • 海南炬炫欣火商贸有限公司

    4

    1336894867313368948673余倩苏州市高新区培源路2号微系统园1号楼107室-A55111016711

  • BSS123LT
  • ONSemiconductor 
  • SOT-23 
  • 23+ 
  • 8000 
  • 全新原装现货库存! 

  • 苏州芯华胜半导体科技有限公司

    4

    400651575815366223933向翱江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼11016001

  • BSS123
  • ONSEMI 
  • SOT23 
  • 最新 
  • 20 
  • 支持实单.欢迎来撩 

  • 深圳市佳威星科技有限公司

    7

    0755-8304591013724343501胡小姐深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C11015705

  • BSS123IXTSA1
  • INFINEONTECHNOLOGIES 
  • SOT23 
  • 24+ 
  • 15860 
  • 全新原装正品! 

  • 深圳市鑫智腾创科技有限公司

    4

    1306680974713066809747李小姐深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-811016831

  • BSS123
  • NXP(恩智浦) 
  •  
  • 23+ 
  • 5000 
  • 鑫智腾创只做原装 

PDF页面索引
120%
SOT23
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 – JANUARY 1996
PARTMARKING DETAIL – SA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Drain-Source Voltage V
DS
100 V
Drain-Gate Voltage V
DGR
100 V
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C I
D
170 mA
Pulsed Drain Current I
DM
680 mA
Gate-Source Voltage V
GS
± 20
V
Peak Gate-Source Voltage V
GSM
± 20
V
Power Dissipation at T
amb
=25°C P
tot
360 mW
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
-55 to +150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER SYMBOL MIN. MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
Breakdown Voltage
BV
DSS
100 V I
D
=0.25mA, V
GS
=0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V
GS(th)
0.8 2.2 2.8 V I
D
=1mA, V
DS
= V
GS
Gate-Body Leakage I
GSS
10 50 nA
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
Zero Gate Voltage
Drain Current
I
DSS
1
2
15
60
10
µA
µA
nA
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V, T=125°C(2)
V
DS
=20V, V
GS
=0V
Static Drain-Source
On-State Resistance (1)
R
DS(on)
56
V
GS
=10V, I
D
=100mA
Forward
Transconductance(1)(2)
g
fs
80 120 mS V
DS
=25V, I
D
=100mA
Input Capacitance (2) C
iss
20 pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V, f=1MHz
Common Source
Output Capacitance (2)
C
oss
9pF
Reverse Transfer
Capacitance (2)
C
rss
4pF
Turn-On Delay Time (2)(3) t
d(on)
10 ns
V
DD
30V, I
D
=280mA
Rise Time (2)(3) t
r
10 ns
Turn-Off Delay Time (2)(3) t
d(off)
15 ns
Fall Time (2)(3) t
f
25 ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
For typical characteristics graphs see ZVN3310F datasheet.
BSS123
D
G
S
3 - 70
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