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BD139

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型号: BD139
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功能描述: EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
PDF文件大小: 36.88 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝BD139
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  • 奋钧智能(深圳)科技有限公司

    5

    0755-83229740/07552871170915773539469王小姐0755-82787892深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD一期A座130611015545

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    12

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    8

    0855-82710336,8253315618926541169朱经理,张小姐0755-83211610华强北路上步工业区501栋11楼1109室11011932

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  • ST/意法 
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  • 23+ 
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  • 深圳市程方电子科技有限公司

    10

    0755-84505926,1581746216415817462164余亮0755-84505926龙岗街道五联社区移民新村B区一巷8号50211013193

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  • ST(意法半导体) 
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司

    12

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  • ST 
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  • 深圳市捷芯微科技有限公司

    6

    3630919213725554160陈欣0755-36309192-602深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B 芯片代理商电子元器件一站式配套服务: ST AD TI ON INFINEON NXP VISHAY MICROCHIP CYPRESS MAXIM FAIRCHILD REALTEK MICRON XILINX DIODES TOSHIBA11013044

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  • 深圳市万政电子有限公司

    5

    1894879463618948794636欧阳先生深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20611015968

  • BD139G
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  • 深圳市茂森源科技有限公司

    5

    23616997/873739015018509257深圳市龙华区民治街道民新社区华南路深国际华南数字谷A栋8C11015985

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  • 深圳市祥亿丰创展电子有限公司

    4

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

    10

    0755-8253826019075167484肖先生深圳市福田区航都大厦10B11016882

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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

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  • 芯莱德电子(香港)有限公司

    10

    1335298541913352985419,19076157484杨先生深圳市福田区航都大厦10B11016884

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  • 深圳市科芯半导体有限公司

    6

    0755-83233639,0755-8322270113975536999,13923782674吴先生,刘先生深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B11013635

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  • 深圳市域立航科技有限公司

    5

    0755-82576356,8323323918802682975,13828773170唐小姐,朱先生0755-82576356深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)11014930

  • BD13910S
  • onsemi/Fairchild 
  • TO-126-3 
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  • 深圳市佳威星科技有限公司

    7

    0755-8304591013724343501胡小姐深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C11015705

  • BD139
  • STMicroelectronics 
  • SOT-32 
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  • 深圳市芯郡达科技有限公司

    5

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  • STMicroelectronics 
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  • 13200 
  • 原装现货可开税票 

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120%
2008. 10. 10 1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
BD139
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 1
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
FEATURES
High Current. (Max. : 1.5A)
DC Current Gain : h
FE
=40Min. @I
C
=0.15A
Complementary to BD140.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
TO-126
H
J
MILLIMETERS
C
E
F
G
D
A
B
DIM
A
C
E
F
G
H
J
K
M
O
P
N
L
D
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
K
L
M
N
O
P
8.3 MAX
5.8
0.7
Φ3.2 0.1
3.5
11.0 0.3
2.9 MAX
1.0 MAX
1.9 MAX
0.75 0.15
2.3 0.1
0.65 0.15
1.6
3.4 MAX
B
1
23
+
_
+
_
+
_
15.5 0.5
+
_
+
_
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
100 V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
80 V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5 V
Collector Current
I
C
1.5 A
Base Current
I
B
0.5 A
Collector Power
Dissipation
Ta=25
P
C
1.25
W
Tc=25
10
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
=30V, I
E
=0
- - 0.1
A
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
=5V, I
C
=0
- - 10
A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
=30mA, I
B
=0
80 - - V
DC Current Gain
h
FE
(1) I
C
=5mA, V
CE
=2V
25 - -
h
FE
(2) I
C
=150mA, V
CE
=2V
40 - 250
h
FE
(3) I
C
=500mA, V
CE
=2V
25 - -
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
=500mA, I
B
=50mA
- - 0.5 V
Base-Emitter Voltage
V
BE
V
CE
=2V, I
C
=50mA
- - 1.0 V
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