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BC559_99

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型号: BC559_99
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功能描述: EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
PDF文件大小: 34.5 Kbytes
PDF页数: 共1页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝BC559_99
PDF页面索引
120%
1999. 11. 30 1/1
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
BC559/560
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 2
LOW NOISE APPLICATION.
FEATURE
For Complementary with NPN Type BC549/550.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
TO-92
DIM MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1 2
3
B
AJ
K
G
H
F
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAXM
1.00N
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
BC559
V
(BR)CEO
I
C
=-10mA, I
B
=0
-30 - -
V
BC560 -45 - -
Collector-Base
Breakdown Voltage
BC559
V
(BR)CBO
I
C
=-10 A, I
E
=0
-30 - -
V
BC560 -50 - -
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
=-10 A, I
C
=0
-5.0 - - V
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
=-30V, I
E
=0
- - -15 nA
DC Current Gain
h
FE
I
C
=-2mA, V
CE
=-5V
110 - 800
Base-Emitter Voltage
V
BE(ON)
I
C
=-2mA, V
CE
=-5V
-0.55 - -0.7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
=-100mA, I
B
=-5mA
- - -0.6 V
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
I
C
=-100mA, I
B
=-5mA
- -0.9 - V
Transition Frequency
f
T
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V, f=100MHz
- 300 - MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
- - 7.0 pF
Noise Figure NF
I
C
=-200 A, V
CE
=-5V
Rg=10k
, f=1kHz
- - 4.0 dB
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage
BC559
V
CBO
-30
V
BC560 -50
Collector-Emitter Voltage
BC559
V
CEO
-30
V
BC560 -45
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5 V
Collector Current
I
C
-100 mA
Collector Power Dissipation
P
C
625 mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
Note : h
FE
Classification A:110 220, B:200 450, C:420 800
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