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BAW56C_15

BAW56C_15首页预览图
型号: BAW56C_15
PDF文件:
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功能描述: SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
PDF文件大小: 352.64 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝BAW56C_15
PDF页面索引
120%
2015. 5. 12 1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
BAW56C
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Revision No : 0
ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Small Package : SOT-23(1).
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1. CATHODE 1
2. CATHODE 2
3. ANODE
2
1
3
DIM MILLIMETERS
SOT-23(1)
A
B
C
D
E
2.90 0.1
1.30+0.20/-0.15
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G1.90
J
K
L
M
N
0.10
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
Type Name
Marking
Lot No.
H6C
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Reverse Voltage
V
R
I
R
=100uA
80 - - V
Forward Voltage
V
F(1)
I
F
=1mA
- 0.6 0.65
V
V
F(2)
I
F
=10mA
- 0.72 0.8
V
F(3)
I
F
=150mA
- - 1.25
Reverse Current
I
R
V
R
=80V
- - 0.5
A
Total Capacitance
C
T
V
R
=0, f=1MHz
- - 3 pF
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Maximum (Peak) Reverse Voltage
V
RM
85 V
Reverse Voltage
V
R
80 V
Continuous Forward Current
I
F
200 mA
Surge Current (10ms)
I
FSM
2A
Power Dissipation
P
D
225* mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
* Note1 : Package Mounted On FR-5 Board (25.4 19.05 1.57mm)
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