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BAS23W_15

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型号: BAS23W_15
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功能描述: SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
PDF文件大小: 432.44 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝BAS23W_15
PDF页面索引
120%
2009. 1. 23 1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
BAS23W
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Revision No : 2
High Voltage Switching.
FEATURES
High Reliability.
Small surface mounting type (USM).
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM MILLIMETERS
A
B
D
E
USM
2.00 0.20
1.25 0.15
0.90 0.10
0.3+0.10/-0.05
2.10 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00~0.10
0.70
C
G
H
J
K
L
K
1
3
2
E
B
D
A
J
G
C
L
H
MM
N
N
M 0.42 0.10
N 0.10 MIN
P 0.1 MAX
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
P
3
2
1
1. CATHODE 1
2. ANODE 2
3. ANODE 1/ CATHODE 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Forward Voltage
V
F
I
F
=150mA
- - 1.25
Reverse Current
I
R(1)
V
R
=250V
- - 0.2
A
I
R(2)
V
R
=300V
- - 100
Total Capacitance
C
T
V
R
=0V, f=1MHz
- - 3 pF
Reverse Recovery Time
t
rr
I
R
=30mA, I
F
=30mA
- - 100 nS
J E
Type Name
Marking
Lot No.
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Maximum (Peak) Reverse Voltage
V
RM
300 V
Reverse Voltage
V
R
250 V
Continuous Forward Current
I
F
200 mA
Surge Current (10mS)
I
FSM
2 A
Power Dissipation
P
D
200 * mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
Note : * Package Mounted On FR-5 Board (25.4 19.05 1.57mm)
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