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5STP18H4200

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型号: 5STP18H4200
PDF文件:
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功能描述: Phase Control Thyristor
PDF文件大小: 226.8 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: ABB[The ABB Group]
制造商LOGO: ABB[The ABB Group] LOGO
制造商网址: http://www.abb.com
捡单宝5STP18H4200
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120%
1)
Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
V
DSM
= 4200
V
I
TAVM
= 2075
A
I
TRMS
= 3260
A
I
TSM
= 32000
A
V
T0
=0.96
V
r
T
= 0.285
m
Phase Control Thyristor
5STP 18H4200
Doc. No. 5SYA1046-02 Jan. 02
Patented free-floating silicon technology
Low on-state and switching losses
Designed for traction, energy and industrial applications
Optimum power handling capability
Interdigitated amplifying gate
Blocking
Maximum rated values
1)
Symbol Conditions 5STP 18H4200 5STP 18H4000 5STP 18H3600
V
DRM,
V
RRM
f = 50 Hz, t
p
= 10ms 4200 V 4000 V 3600 V
V
RSM1
t
p
= 5ms, single pulse 4600 V 4400 V 4000 V
dV/dt
crit
Exp. to 0.67 x V
DRM
, T
j
= 125°C 1000 V/µs
Characteristic values
Parameter Symbol Conditions min typ max Unit
Forwarde leakage current I
DRM
V
DRM
, Tj = 125°C 300 mA
Reverse leakage current I
RRM
V
RRM
, Tj = 125°C 300 mA
Mechanical data
Maximum rated values
1)
Parameter Symbol Conditions min typ max Unit
Mounting force F
M
45 50 60 kN
Acceleration a Device unclamped 50 m/s
2
Acceleration a Device clamped 100 m/s
2
Characteristic values
Parameter Symbol Conditions min typ max Unit
Weight m 0.9 kg
Surface creepage distance D
S
36 mm
Air strike distance D
a
15 mm
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询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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