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2SK2367

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型号: 2SK2367
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功能描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
PDF文件大小: 100.23 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SK2367
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2SK2367
  • NEC 
  • TO-3P 
  • 19+ 
  • 11500 
  • 原装现货库存,接受订货,可开13%增值税发票 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SK2367
  • NEC 
  • TO3P 
  • 2021+ 
  • 88530 
  • 原装一级代理 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • 2SK2367
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 510000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市壹芯创科技有限公司

    9

    0755-82796631,0755-8278008213418647129,15875588575朱先生,杨小姐深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室专业电子元器件一站式配单服务,BOM表报价;公司大量原装现货库存!货源可靠!质量保证! ★壹“芯”为您,创造价值★11011687

  • 2SK2367-A
  • NEC 
  • TO-3P 
  • 24+ 
  • 8600 
  • ★★原厂授权代理★★价格优势★★现货库存★★ 

  • 北京金州智业科技有限公司

    4

    1368330227513683302275王先生www.bjjzzy.com11016813

  • 2SK2367
  • NEC 
  • TO-3P 
  • 23+ 
  • 13000 
  • 原厂原装现货,只做原装正品! 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SK2367
  • NEC 
  • TO3P 
  • 最新批? 
  • 18871 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SK2367-A
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 21500 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!! 

  • 深圳市新启创电子科技有限公司

    6

    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

  • 2SK2367-A
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 12000 
  • 全新原装库存实单价优支持 

  • 深圳市聚福恒达科技有限公司

    12

    86-1588938520815889385208曾先生深圳市福田区华强北新亚洲电子城一期2A141号01016606

  • 2SK2367
  • NEC 
  • TO-3P 
  • 23+ 
  • 12500 
  • 全新原装,长期供货!! 

PDF页面索引
120%
MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
DESCRIPTION
The 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high voltage switching applications.
FEATURES
Low On-Resistance
2SK2367: RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)
2SK2368: R
DS (on) = 0.6 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)
Low Ciss Ciss = 1 600 pF TYP.
High Avalanche Capability Ratings
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)
Drain to Source Voltage (2SK2367/2SK2368)
VDSS 450/500 V
Gate to Source Voltage V
GSS ± 30 V
Drain Current (DC) ID (DC) ± 15 A
Drain Current (pulse)* ID (pulse) ± 60 A
Total Power Dissipation (T
c = 25 ˚C) PT1 120 W
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C) PT2 3.0 W
Channel Temperature Tch 150 ˚C
Storage Temperature T
stg –55 to +150 ˚C
Single Avalanche Current** IAS 15 A
Single Avalanche Energy** EAS 161 mJ
* PW 10
µ
s, Duty Cycle 1 %
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 , VGS = 20 V 0
2SK2367/2SK2368
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
Document No. TC-2506
(O. D. No. TC-8065)
Date Published December 1994 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
1.0±0.2
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
MP-88
4
15.7 MAX.
3.2±0.2
2.8±0.10.6±0.12.2±0.2
5.45 5.45
4.7 MAX.
1.5
1.06.0
7.0
19 MIN. 20.0±0.2
3.0±0.2
4.5±0.2
Body
Diode
Source
Drain
Gate
©
1995
DATA SHEET
1994
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