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2SJ494

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型号: 2SJ494
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功能描述: SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
PDF文件大小: 71.9 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SJ494
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

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  • NEC 
  • TO-220F 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

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    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

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  • NEC 
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

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  • 一级代理 
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  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

  • 2SJ494-AZ
  • 一级代理 
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  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

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  • NEC 
  • TO-220F 
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  • 北京金州智业科技有限公司

    4

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  • NEC 
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  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

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  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

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  • NEC 
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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    0755-28183929,0755-8321660618718561290,18207603663吴小姐0755-28183929深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號11012876

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  • NEC 
  • SMD0805 
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  • 深圳市新启创电子科技有限公司

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    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

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PDF页面索引
120%
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS
2SJ494
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
1998©
Document No. D11266EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published January 1998 N CP(K)
Printed in Japan
DATA SHEET
DESCRIPTION
This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
Super Low On-State Resistance
R
DS(on)1
= 50 m
:
Max. (V
GS
= –10 V, I
D
= –10 A)
R
DS(on)2
= 88 m
:
Max. (V
GS
= –4 V, I
D
= –10 A)
Low C
iss
C
iss
= 2360 pF Typ.
Built-in Gate Protection Diode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Drain to Source Voltage V
DSS
–60 V
Gate to Source Voltage* V
GSS (AC)
+20 V
Gate to Source Voltage V
GSS (DC)
–20, 0 V
Drain Current (DC) I
D (DC)
+20 A
Drain Current (pulse)** I
D (pulse)
+80 A
Total Power Dissipation (T
C
= 25 °C) P
T
35 W
Total Power Dissipation (T
A
= 25 °C) P
T
2.0 W
Channel Temperature T
ch
150 °C
Storage Temperature T
stg
–55 to +150 °C
* f = 20 kHz, Duty Cycle
d
10% (+Side)
** PW
d
10
P
s, Duty Cycle
d
1%
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case R
th (ch-C)
3.57 °C/W
Channel to Ambient R
th (ch-A)
62.5 °C/W
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
1. Gate
2. Drain
3. Source
10.0±0.3
3.2±0.2
2.7±0.2
1.3±0.20.7±0.1
2.54
2.54
1.5±0.2
123
4±0.2
13.5 MIN. 12.0±0.2
15.0±0.3
3±0.1
4.5±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
ISOLATED TO-220 (MP-45F)
Body
Diode
Source
Drain
Gate
Gate Protection
Diode
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