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2SD414

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型号: 2SD414
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功能描述: PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
PDF文件大小: 134.69 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SD414
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2SD414
  • NEC 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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    0855-82710336,8253315618926541169朱经理,张小姐0755-83211610华强北路上步工业区501栋11楼1109室11011932

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  • NEC 
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 一级代理 
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  • 715600 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

  • 2SD414-QG
  • 一级代理 
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  • 36000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

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    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • 2SD414-AZ/JM
  • NEC 
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  • 深圳诚思涵科技有限公司

    8

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  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

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  • NEC 
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  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SD414-AZ/JM
  • NEC 
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  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

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    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SD414
  • NEC 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NEC-日本电气 
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  • ▉▉:2年内 
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  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SD414-AZ/JM
  • NEC 
  • TO126 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

  • 深圳市新启创电子科技有限公司

    6

    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

  • 2SD414-P(AZ)
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 12000 
  • 全新原装库存实单价优支持 

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120%
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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
1998©
Document No. D16141EJ2V0DS00
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB548, 549/2SD414, 415
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
DATA SHEET
2002
FEATURES
Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output
High voltage
Available for small mount spaces due to small and thin package
Easy to be attached to radiators
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol 2SB548/
2SD414
2SB549/
2SD415
Unit
Collector to base voltage V
CBO
100/120
V
Collector to emitter voltage V
CEO
80/80 100/100
V
Emitter to base voltage V
EBO
5.0/5.0
V
Collector current I
C(DC)
0.8/0.8
A
Collector current I
C(pulse)
*
1.5/1.5
A
Total power dissipation
P
T
(Ta = 25°C)
1.0 W
Total power dissipation
P
T
(Tc = 25°C)
10 W
Junction temperature T
j
150
°C
Storage temperature T
stg
55 to +150 °C
*PW 10 ms, duty cycle 50%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Conditions MIN. TYP. MAX. Unit
Collector cutoff current I
CBO
V
CB
= 80/80 V, I
E
= 0 1.0/1.0
µ
A
Emitter cutoff current I
EBO
V
EB
= 3.0/3.0 V, I
C
= 0 1.0/1.0
µ
A
DC current gain h
FE1
V
CE
= 5.0/5.0 V, I
C
= 2.0/2.0 mA*
20
DC current gain h
FE2
V
CE
= 5.0/5.0 V, I
C
= 200/200 mA*
40 90 320
Collector saturation voltage V
CE(sat)
I
C
= 500/500 mA, I
B
= 50/50 mA* 0.4/0.3 2.0/2.0
V
Base saturation voltage V
BE(sat)
I
C
= 500/500 mA, I
B
= 50/50 mA* 0.9/0.9 1.5/1.5
V
Gain bandwidth product f
T
V
CE
= 5.0/5.0 V, I
C
= 100/100 mA
70/45 MHz
Collector capacitance C
ob
V
CB
= 10/10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
25/15 pF
* Pulse test PW 350
µ
s, duty cycle 2%
h
FE2
CLASSIFICATION
Marking S R Q P
h
FE2
40 to 80 60 to 120 100 to 200 160 to 320
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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