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2SD2136

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型号: 2SD2136
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功能描述: NPN Plastic Encapsulated Transistor
PDF文件大小: 258.62 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
制造商LOGO: SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH] LOGO
制造商网址: http://www.secosgmbh.com
捡单宝2SD2136
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 国丰临科技(深圳)有限公司

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

  • 2SD2136
  • CJ 
  • TO-126 
  • 全新 
  • 300000 
  • 原装正品 仓库现货 

  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2SD2136
  • 长电 
  • 19+ 
  • TO-126 
  • 10000 
  • 原装正品现货,一站式终端物料配单 

  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

    6

    0755-83214699,0755-8271488918475619159,13530408990张先生,唐先生,张小姐深圳市福田区广博现代之窗大厦A座16B11013201

  • 2SD2136
  • PANASON 
  • TO-126 
  • 21+ 
  • 15000 
  • 原厂渠道原装现货假一罚十真实库存 

  • 深圳市恒佳微电子有限公司

    8

    0855-82710336,8253315618926541169朱经理,张小姐0755-83211610华强北路上步工业区501栋11楼1109室11011932

  • 2SD2136
  • PANASONIC/松下 
  • MT-3-A1 
  • 23+ 
  • 66000 
  • 优势原装货支持最低价 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • 2SD2136
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 946000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市赛美科科技有限公司

    12

    0755-2830932313480875861雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595诚芯做事,诚心做人,您身边的电子元器件搬运工,QQ临时会话不稳定,没有回复请加微信或打电话11012165

  • 2SD21360RA
  • Panasonic 
  • ROHS 
  • 最新 
  • 56520 
  • 一级代理,原装正品假一罚十价格优势长期供货 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • 2SD2136
  • 长电 
  • TO-126 
  • 1051+ 
  • 2455 
  • 只做原装正品,支持含税 

  • 深圳市德鸿芯科技有限公司

    11

    15399990331 18165780858陈梦,李丽龙华新区民治樟坑东明大厦11011162

  • 2SD2136
  •  
  •  
  • 20+ 
  • 6895 
  • 原装现货! 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SD2136
  • PANASONIC/松下 
  • MT-3-A1 
  • 2021+ 
  • 36530 
  • 专业配单100%原装进口 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SD2136
  • CJ(江苏长电/长晶) 
  • TO-126-3 
  • 23+ 
  • 35000 
  • ★★100%原装★正品现货★一级代理商★ 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SD2136-Q
  • 松下 
  • DIP-3 
  • 22+ 
  • 21380 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!!! 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SD2136 MOS(场效应管)
  • CJ/长电 
  • TO-126 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

  • 深圳市百域芯科技有限公司

    10

    400-666-538513043481413郑小姐0755-23616725世纪汇都会轩450711012940

  • 2SD2136
  • CJ/长电 
  • TO-126C 
  • 20+ 
  • 30000 
  • 百域芯优势实单必成可开13点增值税发票 

PDF页面索引
120%
Elektronische Bauelemente
2SD2136
3A , 60V
NPN Plastic Encapsulated Transistor
03-Dec-2013 Rev. A Page 1 of 2
http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually.
3
Base
1
Emitter
Collector
2
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Low frequency power amplifier
Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has
Satisfactory Linearity.
CLASSIFICATION OF h
FE (1)
Product-Rank
2SD2136-P 2SD2136-Q 2SD2136-R
Range 40~90 70~150 120~250
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage V
CBO
60 V
Collector to Emitter Voltage V
CEO
60 V
Emitter to Base Voltage V
EBO
6 V
Collector Current - Continuous I
C
3 A
Collector Power Dissipation P
C
1.25 W
Thermal Resistance From Junction To Ambient R
θJA
100 °C / W
Junction, Storage Temperature T
J
, T
STG
150, -55~150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Collector to Base Breakdown Voltage V
(BR)CBO
60 - - V I
C
=0.1mA, I
E
=0
Collector to Emitter Breakdown Voltage
1
V
(BR)CEO
60 - - V I
C
=30mA, I
B
=0
Emitter to Base Breakdown Voltage V
(BR)EBO
6 - - V I
E
=0.1mA, I
C
=0
Collector Cut – Off Current I
CBO
- - 200 µA V
CB
=60V, I
E
=0
Collector Cut – Off Current I
CEO
- - 300 µA V
CE
=60V, I
B
=0
Emitter Cut – Off Current I
EBO
- - 1 mA V
EB
=6V, I
C
=0
h
FE (1)
40 - 250 V
CE
=4V, I
C
=1A
DC Current Gain
1
h
FE (2)
10 - -
V
CE
=4V, I
C
=3A
Collector to Emitter Saturation Voltage
1
V
CE(sat)
- - 1.2 V I
C
=3A, I
B
=375mA
Collector Output Capacitance
1
V
BE
- - 1.8 V V
CE
=4V, I
C
=3A
Transition Frequency f
T
- 30 - MHz
V
CE
=5V, I
C
=100mA, f=10MHz
Note:
1. Pulse test: pulse width 300µs, duty cycle 2.0%.
1
11
1
Emitter
2
22
2Collector
3
33
3Base
TO-126
C
D
B
A
E
N
F
L
G
K
J
H
M
Millimeter
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
7.40
7.80
H
1.10
1.50
B
2.50
2.90
J
0.45
0.60
C
10.60
11.00
K
0.66
0.86
D
15.30
15.70
L
2.10
2.30
E
3.70
3.90
M
1.17
1.37
F
3.90
4.10
N
3.00
3.20
G
2.29 TYP.
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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