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2SD1481

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型号: 2SD1481
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功能描述: SILICON POWER TRANSISTOR
PDF文件大小: 109.6 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SD1481
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2SD1481
  • NEC 
  • TO-220 
  • 19+ 
  • 16000 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单!原装正品 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SD1481
  • NEC 
  • TO-220 
  • 2021+ 
  • 29860 
  • 100%原装进口现货 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • 2SD1481
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 4658000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

  • 2SD1481
  • NEC 
  • TO-220 
  • 21+ 
  • 2588 
  • 原装正品,支持样品 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SD1481
  • NEC 
  • TO-220 
  • 最新批? 
  • 15940 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SD1481
  • NEC 
  • TO-220 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
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1998©
Document No. D16189EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SD1481
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
FEATURES
On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption
Low collector saturation voltage: V
CE(SAT)
= 1.5 V MAX. (at 1 A)
Ideal for use in a direct drive from IC to the devices such as OA
and FA equipment and motor solenoid relay printer head drivers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
60 ±10
V
Collector to emitter voltage V
CEO
60 ±10
V
Emitter to base voltage V
EBO
7.0 V
Collector current I
C(DC)
2.0 A
Collector current I
C(pulse)
*4.0A
Base current I
B(DC)
0.2 A
Total power dissipation
P
T
(Tc = 25°C)
15 W
Total power dissipation
P
T
(Ta = 25°C)
1.5 W
Junction temperature T
j
150
°C
Storage temperature T
stg
55 to +150 °C
* PW 300
µ
s, duty cycle 10%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
(OHFWURGH&RQQHFWLRQ
%DVH
&ROOHFWRU
(PLWWHU
)LQFROOHFWRU
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