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2SD1472CTTR-E

2SD1472CTTR-E首页预览图
型号: 2SD1472CTTR-E
PDF文件:
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功能描述: Silicon NPN Epitaxial, Darlington
PDF文件大小: 213.93 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: RENESAS[Renesas Technology Corp]
制造商LOGO: RENESAS[Renesas Technology Corp] LOGO
制造商网址: http://www.renesas.com
捡单宝2SD1472CTTR-E
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 中国军工指定供应商 

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

    9

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  • RENESAS 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

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  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT-89 
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  • 原装进口诚信经营免费提供样品 

  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

    16

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  • RENESAS 
  • SOT-89 
  • 最新批次 
  • 13250 
  • 绝对原装正品 

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  • 2SD1472CTTR-E
  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT-89 
  • 最新批? 
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  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

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  • 一级代理 
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  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市安富世纪电子有限公司

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  • RENESAS/瑞萨 
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • RENESAS/瑞萨 
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  • 23+ 
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  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

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  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT89 
  • 2019 
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  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 2SD1472CTTR-E
  • RENESAS-瑞萨 
  • SOT-89-3 
  • ▉▉:2年内 
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  • 深圳市诺普迅电子科技有限公司

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  • 2SD1472CTTR-E
  • 19+ 
  • SOT-89 
  • RENESAS/瑞萨 
  • 3045 
  • 优势供应价格优势,大量现货 

  • 深圳市千环树科技有限公司

    6

    0755-8257520713662647789林先生深圳市福田区华强北路赛格广场5902AB11013270

  • 2SD1472CTTR-E
  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT-89 
  • 21+ 
  • 28950 
  • 全新原装正品,现货热卖 

  • 深圳市威雅利发展有限公司

    7

    1812404712018124047120韩雪华强北路1019号华强广场A16楼01012660

  • 2SD1472CTTR-E
  • LINEAR/凌特 
  • SOT23-5 
  • 20+ 
  • 136450 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单! 

PDF页面索引
120%
REJ03G0792-0300 Rev.3.00 Nov 30, 2007
Page 1 of 5
2SD1472
Silicon NPN Epitaxial, Darlington
REJ03G0792-0300
Rev.3.00
Nov 30, 2007
Application
Low frequency power amplifier
Outline
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange
)
4
1
2
3
6 k
(Typ)
0.5 k
(Typ)
I
D
1
2
3
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A
(Package name: UPAK
R
)
Note: Marking is “CT”.
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
120 V
Collector to emitter voltage V
CEO
120 V
Emitter to base voltage V
EBO
7 V
Collector current I
C
1.5 A
Collector peak current i
C(peak)
*
1
3.0 A
Collector power dissipation P
C
*
2
1.0 W
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature Tstg –55 to +150 °C
E to C diode forward current I
D
1.5 A
Notes: 1. Pulse 10 ms, Duty cycle 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 30 x 0.7 mm)
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