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2SC5192

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型号: 2SC5192
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功能描述: MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
PDF文件大小: 68.3 Kbytes
PDF页数: 共10页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SC5192
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

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  • 原装NEC 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

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  • 2SC5192
  • NEC 
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  • 2021+ 
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  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

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  • 2SC5192-T1
  • 一级代理 
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  • 312000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

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  • 2SC5192-T1
  • NEC 
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  • 深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

    12

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  • NEC 
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  • 深圳市壹芯创科技有限公司

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  • NEC 
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  • 深圳市华康联电子科技有限公司

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  • 2SC5192-T1
  • NEC 
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  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

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  • NEC 
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  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SC5192-T1
  • NEC 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 2SC5192-FB
  • NEC-日本电气 
  • SOT-143 
  • ▉▉:2年内 
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  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SC5192-T1
  • NEC 
  • SOT143 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
©
1994
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
FEATURES PACKAGE DRAWINGS
Low Voltage Operation, Low Phase Distortion (Unit: mm)
Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
NF = 1.7 dB TYP. @V
CE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
Large Absolute Maximum Collector Current
IC = 100 mA
4-Pin Mini Mold Package
EIAJ: SC-61
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
QUANTITY PACKING STYLE
2SC5192-T1 3 Kpcs/Reel Embossed tape 8 mm wide.
Pin 3 (Base), Pin 4 (Emitter) face to perforation
side of the tape.
2SC5192-T2 3 Kpcs/Reel Embossed tape 8 mm wide.
Pin 1 (Collector), Pin 2 (Emitter) face to
perforation side of the tape.
Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC
Sales Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector to Base Voltage VCBO 9V
Collector to Emitter Voltage VCEO 6V
Emitter to Base Voltage VEBO 2V
Collector Current IC 100 mA
Total Power Dissipation PT 200 mW
Junction Temperature Tj 150 ˚C
Storage Temperature Tstg –65 to +150 ˚C
2SC5192
This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
4 PINS MINI MOLD
0 to 0.1
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
2.9±0.2
T88
(1.9)
0.4
–0.05
+0.1
0.4
–0.05
+0.1
0.4
–0.05
+0.1
0.6
–0.05
+0.1
0.16
–0.06
+0.1
(1.8)
0.8
1.5
–0.1
+0.2
2.8
–0.3
+0.2
21
0.950.85
4
3
5˚ 5˚
5˚ 5˚
1.1
–0.1
+0.2
Document No. P10402EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2485)
Date Published August 1995
Printed in Japan
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