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2SC4093-T2

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型号: 2SC4093-T2
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功能描述: MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
PDF文件大小: 70.01 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SC4093-T2
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型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SC4093-T2-A
  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT-143 
  • 2021+ 
  • 32570 
  • BOM配套原装价优 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SC4093-T2
  • NEC 
  • SOT143 
  • 最新批? 
  • 3547 
  • 原厂原装现货现卖 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016819

  • 2SC4093-T2
  • NEC-日本电气 
  • SOT-143 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:18800 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SC4093-T2
  • NEC 
  • SOT143 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC4093
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
4 PINS MINI MOLD
DATA SHEET
Document No. P10365EJ3V1DS00 (3rd edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
1991©
DESCRIPTION
The 2SC4093 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low
noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteritics, and is
contatined in a 4 pins mini-mold package which enables high-isolation
gain.
FEATURES
Low Noise
NF = 1.1 dB TYP. @ V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
High Power Gains
S
21e
2
= 13 dB TYP. @ V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA, f = 1.0 GHz
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY PACKING STYLE
2SC4093-T1 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to perforation side
of the tape.
2SC4093-T2 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face to perforation
side of the tape.
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation
sample.
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4093)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
C)
Collector to Base Voltage V
CBO
20 V
Collector to Emitter Voltage V
CEO
12 V
Emitter to Base Voltage V
EBO
3.0 V
Collector Current I
C
100 mA
Total Power Dissipation P
T
200 mW
Junction Temperature T
j
150 C
Storage Temperature T
stg
65 to +150 C
PACKAGE DIMENSIONS
(Units: mm)
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
4.
Collector
Emitter
Base
Emitter
5° 5°
5° 5°
0 to 0.1
0.8
2.9±0.2
(1.8)
(1.9)
0.950.85
1.1
+0.2
0.1
0.16
+0.1
0.06
0.4
4
1
3
2
+0.1
0.05
2.8
+0.2
0.3
1.5
+0.2
0.1
0.6
+0.1
0.05
0.4
+0.1
0.05
0.4
+0.1
0.05
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