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2SC3663

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型号: 2SC3663
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功能描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
PDF文件大小: 110.24 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SC3663
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  • 深圳市成源运利电子科技有限公司

    8

    159-1399248015913992480林先生深圳市福田区华强路东方时代广场A270511012130

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  • SANYO 
  • SOT-23 
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  • 全新原装现货,假一赔十 

  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

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  • 原装NEC 
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  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

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  • 一级代理 
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  • 510000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市德鸿芯科技有限公司

    11

    15399990331 18165780858陈梦,李丽龙华新区民治樟坑东明大厦11011162

  • 2SC3663
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  • 深圳诚思涵科技有限公司

    8

    0755-23947236/8301550615302723671/15820783671曾小姐0755-82815131深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室11011880

  • 2SC3663
  • NEC 
  • 2019+ 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SC3663
  • NEC 
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  • 原装进口钽电容电容样品免费 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SC3663-T1B
  • NEC 
  • SOT-23 
  • 最新批? 
  • 16685 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SC3663
  • NEC 
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  • 深圳市星诚通电子有限公司

    4

    +8613751158229+8613751158229陈先生0755-61685015深圳市福田区红荔路38号群星广场A座281711016053

  • 2SC3663
  • SANYO 
  • SOT23 
  • 22+ 
  • 15000 
  • 只有原装,只做现货 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SC3663-T1B
  • NEC 
  • SOT-23 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3663
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
1997©
Document No. P10406EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 1997 N
Printed in Japan
DATA SHEET
FEATURES
Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain
NF = 3.0 dB TYP. @V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
G
A
= 3.5 dB TYP. @V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
Ideal for battery drive of pagers, compact radio equipment,
cordless phones, etc.
Gold electrode gives high reliability.
Mini mold package, ideal for hybrid ICs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 q
qq
qC)
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector to Base Voltage V
CBO
15 V
Collector to Emitter Voltage V
CEO
8V
Emitter to Base Voltage V
EBO
2V
Collector Current I
C
5mA
Total Power Dissipation P
T
50 mW
Junction Temperature T
j
150
q
C
Storage Temperature T
stg
ð
65 to +150
q
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 q
qq
qC)
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Collector Cut-off Current I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 0.1
P
A
Emitter Cut-off Current I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0 0.1
P
A
DC Current Gain h
FE
V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, pulse 50 100 250
Gain Bandwidth Product f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA 4 GHz
Insertion Power Gain
°
S
21e
°
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, f = 1 GHz 4.0 6.5 dB
Maximum Available Gain MAG V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, f = 1 GHz 12.5 dB
Noise Figure NF V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz 3.0 4.5 dB
Associated Power Gain G
A
V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz 3.5 dB
Collector Capacitance
C
ob
Note
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz 0.4 0.6 pF
Note
Measured using 3-pin bridge, with emitter pin connected to the bridge guard pin.
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)
2.8 ± 0.2
2.9 ± 0.2
0 to 0.1
0.950.3
1.1 to 1.4
0.95
0.4
1.5
C
Marking
E
B
0.65
+0.1
–0.15
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.4
+0.1
–0.05
PIN CONNECTIONS
E: Emitter
B: Base
C: Collector
Marking: R62
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