• 当前位置:
  • 首页
  • >
  • PDF资料
  • >
  • 2SC3357-T2 PDF文件及第1页内容在线浏览

2SC3357-T2

2SC3357-T2首页预览图
型号: 2SC3357-T2
PDF文件:
  • 2SC3357-T2 PDF文件
  • 2SC3357-T2 PDF在线浏览
功能描述: NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
PDF文件大小: 77.51 Kbytes
PDF页数: 共8页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SC3357-T2
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 深圳创芯佳业科技有限公司

    8

    0755-8326777413925253466蔡先生,谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营:NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC!支持订货,支持含税,承接Bom表配单!实单必成,欢迎电话/微信/QQ咨询:蔡先生/谢小姐11016192

  • 2SC3357-T2
  • NEC原装 
  • SOT-89 
  • 95+;01+ 
  • 1954 
  • 只做原装正品,支持含税 

  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

  • 2SC3357-T2
  • NEC原装 
  • SOT-89 
  • 21+ 
  • 2686 
  • 原装现货 

  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

    16

    0755-8279089118126117392陈玲玲18126117392深圳市福田区汉国中心55楼11010821

  • 2SC3357-T2
  • NEC原装 
  • SOT-89 
  • 最新批次 
  • 13250 
  • 绝对原装正品 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SC3357-T2
  • NEC 
  • SOT-89 
  • 最新批? 
  • 17401 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SC3357-T2
  • NEC 
  • SOT-89 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
SILICON TRANSISTOR
2SC3357
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DATA SHEET
Document No. P10357EJ4V1DS00 (4th edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
1985©
DESCRIPTION
The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for
low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteristic.
FEATURES
Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., G
a
= 8.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., G
a
= 9.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
Large P
T
in Small Package
P
T
: 2 W with 16 cm
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 °C)
Collector to Base Voltage V
CBO
20 V
Collector to Emitter Voltage V
CEO
12 V
Emitter to Base Voltage V
EBO
3.0 V
Collector Current I
C
100 mA
Total Power Dissipation P
T
* 1.2 W
Thermal Resistance R
th(j-a)
* 62.5
°
C/W
Junction Temperature T
j
150
°
C
Storage Temperature T
stg
65 to +150
°
C
* mounted on 16 cm
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
Term, Connection
E
C
B
(SOT-89)
: Emitter
: Collector (Fin)
: Base
0.41
0.03
+0.05
0.47
±0.06
0.42±0.06
4.5±0.1
1.6±0.2
3.0
EB
C
1.5
0.8 MIN.
2.5±0.1
4.0±0.25
1.5±0.1
0.42
±0.06
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
删除
删除
删除
删除
删除
增加行数
  •  公司名:
  • *联系人:
  • *邮箱:
  • *电话:
  •  QQ:
  •  微信:

  • 关注官方微信

  • 联系我们
  • 电话:13714778017
  • 周一至周六:9:00-:18:00
  • 在线客服:

天天IC网由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

天天IC网 ( www.ttic.cc ) 版权所有©2014-2023 粤ICP备15059004号

因腾讯功能限制,可能无法唤起QQ临时会话,(点此复制QQ,添加好友),建议您使用TT在线询价。

继续唤起QQ 打开TT询价