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2SB1669-Z

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型号: 2SB1669-Z
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功能描述: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
PDF文件大小: 138.29 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SB1669-Z
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

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  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

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  • 2SB1669-Z-E1-AZ
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  • 深圳市赛美科科技有限公司

    12

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  • 深圳市华康联电子科技有限公司

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  • 深圳诚思涵科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 2SB1669-Z-E1
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  • 2SB1669-Z-E1
  • NEC 
  • TO263 
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120%
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availability and additional information.
1998©
Document No. D15410EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published July 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1669
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
The 2SB1669 is a power transistor that can be directly driven from
the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA equipment
such as motor and solenoid drivers.
FEATURES
High DC current amplifier rate
h
FE
100 (V
CE
= 5.0 V, I
C
= 0.5 A)
Z type available for surface mounting supported prodcuts
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
60 V
Collector to emitter voltage V
CEO
60 V
Emitter to base voltage V
EBO
7.0 V
Collector current (DC) I
C(DC)
3.0 A
Collector current (pulse) I
C(pulse)
PW 10 ms,
duty cycle 50%
6.0 A
Base current (DC) I
B(DC)
1.0 A
(T
C
= 25°C) 25 WTotal power dissipation P
T
(T
A
= 25°C) 1.5 W
Junction temperature T
j
150 °C
Storage temperature T
stg
55 to +150 °C
ORDERING INFORMATION
Part No. Package
2SB1669 TO-220AB
2SB1669-S TO-262
2SB1669-Z TO-220SMD
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