• 当前位置:
  • 首页
  • >
  • PDF资料
  • >
  • 2SB1182D PDF文件及第1页内容在线浏览

2SB1182D

2SB1182D首页预览图
型号: 2SB1182D
PDF文件:
  • 2SB1182D PDF文件
  • 2SB1182D PDF在线浏览
功能描述: PNP Silicon General Purpose Transistor
PDF文件大小: 263.59 Kbytes
PDF页数: 共2页
制造商: SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
制造商LOGO: SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH] LOGO
制造商网址: http://www.secosgmbh.com
捡单宝2SB1182D
供应商
型号
品牌
封装
批号
库存数量
备注
询价
  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SB1182D-R
  • SECOSGMBH 
  • TO-252 
  • 2021+ 
  • 88530 
  • 原装一级代理 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • 2SB1182D-R
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 456000 
  • 一级代理放心采购 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SB1182D-R
  • SECOSGMBH 
  • TO-252 
  • 最新批? 
  • 17459 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SB1182D-R
  • SECOS 
  • TO-252 
  • 22+ 
  • 21380 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!!! 

  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

    0755-8374714418126038344张先生深圳市罗湖区清水河街道168号11013260

  • 2SB1182D-R
  • SECOSGMBH 
  • TO-252 
  • 2019 
  • 3750 
  • 假一罚十,货送全国,账期120天起 

PDF页面索引
120%
Any changing of specification will not be informed individual
2SB1182D
PNP Silicon
General Purpose Transistor
http://www.SeCoSGmbH.com
Elektronische Bauelemente
*
FEATURES
The 2SB1182DX is designed for medium power amplifier application
Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.)
MARKING : 1182
(With Date Code)
MAXIMUM RATINGS* TA=25
O
C unless otherwise noted
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO -40
V
Collector-Emitter Voltage VCEO -32 V
Emitter-Base Voltage VEBO -5
V
Collector Current -Continuous IC -2
A
Collector Dissipation PC 10 W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
+150
,-55~+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=-50µA, IE=0 -40
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
Ic= -1mA,I
B
=0 -32 V
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR)EBO
I
E
= -50µA, I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-20V,I
E
=0 -1 uA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=-4V,I
C
=0 -1 uA
DC current gain
h
FE
V
CE
=-3V,I
C
=-500mA
82
390
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=-500mA,I
B
=-200mA -500 -800 V
Transition frequency
f
T
V
CE
=-5V,Ic=500mA,f=100MHz 100 MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=-10V,f=1MHz 50 pF
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank P Q R
Range
82 - 180 120 - 270 180
- 390
01-Jun-2002 Rev. A
Page 1 of 2
ć
0. 51 0. 10
0. 51 0. 05
0 0. 10
1. 60
0. 15
9. 70
0. 20
0. 75
0. 10
2. 30 0. 10
6. 50 0. 15
5. 30 0. 10
0. 60 0. 10
0. 80 0. 10
2. 30 0. 10
2. 70
0. 20
2. 30 0. 10
5. 50
0. 10
1. 20
9
0. 51
0. 6
0
5
5
5
B C E
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Ć
Collector Current -Pulse,Pw=100mS IC -2
A
RoHS Compliant Product
C
TO-252
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
删除
删除
删除
删除
删除
增加行数
  •  公司名:
  • *联系人:
  • *邮箱:
  • *电话:
  •  QQ:
  •  微信:

  • 关注官方微信

  • 联系我们
  • 电话:13714778017
  • 周一至周六:9:00-:18:00
  • 在线客服:

天天IC网由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

天天IC网 ( www.ttic.cc ) 版权所有©2014-2023 粤ICP备15059004号

因腾讯功能限制,可能无法唤起QQ临时会话,(点此复制QQ,添加好友),建议您使用TT在线询价。

继续唤起QQ 打开TT询价