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2SA2169

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型号: 2SA2169
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功能描述: PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
PDF文件大小: 55.08 Kbytes
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制造商: SANYO[Sanyo Semicon Device]
制造商LOGO: SANYO[Sanyo Semicon Device] LOGO
制造商网址: http://www.ssdc-jp.com/eng/
捡单宝2SA2169
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市科芯半导体有限公司

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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

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  • 深圳市腾迅辉电子科技有限公司

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    0755-83250795,0755-8325076918922846828,18676660258文燕华强北路赛格广场44楼4405B室深圳市腾迅辉电子科技公司 承诺只做原装正品 十年诚信经营11013700

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

    11

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  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 深圳振宏微科技有限公司

    6

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  • 博创弘芯(深圳)电子有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

    13

    0755-83616256 / 8321090913725570869朱小姐0755-83231283深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室深圳市毅创腾电子科技有限公司 亚太地区专业半导体分销商!11012930

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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • SANYO/三洋 
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  • 深圳市八零友创科技有限公司

    16

    0755-8891779715818562499李先生0735-82526223深圳市福田区华强北赛格广场26楼260711015683

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

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    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

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  • 深圳市言叶科技有限公司

    4

    1767309303717673093037刘新深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-211016144

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  • 深圳市赛美科科技有限公司

    12

    0755-2830932313480875861雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595诚芯做事,诚心做人,您身边的电子元器件搬运工,QQ临时会话不稳定,没有回复请加微信或打电话11012165

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  • 深圳市永懿科技有限公司

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    0755-23607205 手机1533887371315338873713谢小姐2885514558深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路154号上步工业区19栋上步工业区305栋401(4C02)11015742

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  • 深圳市毅创弘电子科技有限公司

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    0755-8860900118565707557可乔深圳市福田区华强北1016号宝华大厦A80911013743

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120%
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-1/5
Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.
Features
Adoption of MBIT process.
Large current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
High-speed switching.
Specifications ( ) : 2SA2169
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage V
CBO
(--50)100 V
Collector-to-Emitter Voltage V
CEO
(--)50 V
Emitter-to-Base Voltage V
EBO
(--)6 V
Collector Current I
C
(--)10 A
Collector Current (Pulse) I
CP
PW100µs (--)13 A
Base Current I
B
(--)2 A
Collector Dissipation P
C
0.95 W
Tc=25°C20W
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter Symbol Conditions
min typ max
Unit
Collector Cutoff Current I
CBO
V
CB
=(--)40V, I
E
=0 (--)10 µA
Emitter Cutoff Current I
EBO
V
EB
=(--)4V, I
C
=0 (--)10 µA
DC Current Gain h
FE
V
CE
=(--)2V, I
C
=(--)1A 200 (560)700
Gain-Bandwidth Product f
T
V
CE
=(--)5V, I
C
=(--)1A (130)200 MHz
Output Capacitance Cob V
CB
=(--)10V, f=1MHz (90)60 pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage V
CE
(sat) I
C
=(--)5A, I
B
=(--)250mA
(--290)180 (--580)360
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage V
BE
(sat) I
C
=(--)5A, I
B
=(--)250mA (--)0.93 (--)1.4 V
Continued on next page.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : ENN8275
32505EA TS IM TB-00001269
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
2SA2169 / 2SC6017
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Current Switching
Applications
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