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2SA1741

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型号: 2SA1741
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功能描述: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
PDF文件大小: 168.23 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SA1741
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

    13

    0755-83616256 / 8321090913725570869朱小姐0755-83231283深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室深圳市毅创腾电子科技有限公司 亚太地区专业半导体分销商!11012930

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  • NEC 
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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

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  • NEC 
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  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

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  • 2SA1741-AZ
  • 一级代理 
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  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

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  • RENESAS/瑞萨 
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  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

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  • 2SA1741-AZ
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  • RENESAS-瑞萨 
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  • 深圳兴中扬电子科技有限公司

    6

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  • 2SA1741
  • NEC 
  • TO-220F 
  • 2019 
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

    7

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  • 2SA1741
  • NEC 
  • SMD 
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  • 深圳市新启创电子科技有限公司

    6

    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

  • 2SA1741-AZ
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
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PDF页面索引
120%
Document No. D16125EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1741
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
©
2002
The 2SA1741 is a power transistor developed for high-speed
switching and features a high h
FE
at low V
CE(sat)
. This transistor is
ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.
In addition, a small resin-molded insulation type package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting
cost.
FEATURES
High h
FE
and low V
CE(sat)
:
h
FE
100 (V
CE
= 2 V, I
C
= 1 A)
V
CE(sat)
0.3 V (I
C
= 3 A, I
B
= 0.15 A)
Full-mold package that does not require an insulating board or
bushing when mounting.
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
100
V
Collector to emitter voltage V
CEO
60
V
Emitter to base voltage V
EBO
7.0
V
Collector current (DC) I
C(DC)
5.0
A
Collector current (pulse) I
C(pulse)
*
10
A
Base current (DC) I
B(DC)
2.5
A
Total power dissipation
P
T
(Tc = 25°C)
25 W
Total power dissipation
P
T
(Ta = 25°C)
2.0 W
Junction temperature T
j
150
°C
Storage temperature T
stg
55 to +150 °C
*PW 300
µ
s, duty cycle 50%
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
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