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2SA1221

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型号: 2SA1221
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功能描述: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
PDF文件大小: 85.24 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: NEC[NEC]
制造商LOGO: NEC[NEC] LOGO
制造商网址: http://www.nec.com/
捡单宝2SA1221
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询价
  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2SA1221-K
  • NEC 
  • 19+ 
  • DIP-3 
  • 18000 
  • 原装正品现货,一站式终端物料配单 

  • 深圳市恒佳微电子有限公司

    8

    0855-82710336,8253315618926541169朱经理,张小姐0755-83211610华强北路上步工业区501栋11楼1109室11011932

  • 2SA1221
  •  
  •  
  • 23+ 
  • 66000 
  • 优势原装货支持最低价 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2SA1221
  •  
  •  
  • 2021+ 
  • 36530 
  • 专业配单100%原装进口 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SA1221-K(AZ)
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 21500 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!! 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

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  • 2SA1221-AZ-K
  • NEC-日本电气 
  • SOT-89-3 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:57500 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016818

  • 2SA1221-AZ
  • RENESAS-瑞萨 
  • 车规-元器件 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:236000 
  • ▉▉¥2一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳市新启创电子科技有限公司

    6

    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

  • 2SA1221-K(AZ)
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 12000 
  • 全新原装库存实单价优支持 

PDF页面索引
120%
1998©
Document No. D16143EJ1V0DS00
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON TRANSISTORS
2SA1221, 1222
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
DATA SHEET
2002
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
FEATURES
Ideal for use of high withstanding voltage current such as TV
vertical deflection output, audio output, and variable power
supplies.
Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959
V
CEO
= 140 V: 2SA1221/2SC2958
V
CEO
= 160 V: 2SA1222/2SC2959
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
160
V
Collector to emitter voltage V
CEO
140/–160
V
Emitter to base voltage V
EBO
5.0
V
Collector current (DC) I
C(DC)
500
mA
Collector current (pulse) I
C(pulse)
*
1.0
A
Total power dissipation P
T
1.0 W
Junction temperature T
j
150
°C
Storage temperature T
stg
55 to +150 °C
*PW 10 ms, duty cycle 50%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°
°°
°C)
Parameter Symbol Conditions MIN. TYP. MAX. Unit
Collector cutoff current I
CBO
V
CB
= 100 V, I
E
= 0 200
nA
Emitter cutoff current I
EBO
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0 200
nA
DC current gain h
FE
**
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 100 mA
100 150 400
DC base voltage V
BE
**
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 20 mA 0.6 0.64 0.7
V
Collector saturation voltage V
CE(sat)
**
I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.2 A 0.6 0.9
V
Base saturation voltage V
BE(sat)
**
I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.2 A 1.1 0.3
V
Output capacitance C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
24 40 pF
Gain bandwidth product f
T
V
CE
= 10 V, I
E
= 20 mA
30 45 MHz
** Pulse test PW 350
µ
s, duty cycle 2% per pulsed
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