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2SA1121SCTL-E

2SA1121SCTL-E首页预览图
型号: 2SA1121SCTL-E
PDF文件:
  • 2SA1121SCTL-E PDF文件
  • 2SA1121SCTL-E PDF在线浏览
功能描述: Silicon PNP Epitaxial
PDF文件大小: 92.73 Kbytes
PDF页数: 共6页
制造商: RENESAS[Renesas Technology Corp]
制造商LOGO: RENESAS[Renesas Technology Corp] LOGO
制造商网址: http://www.renesas.com
捡单宝2SA1121SCTL-E
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  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

  • 2SA1121SCTL-E
  • renesas 
  • SOT-23 
  • 21+ 
  • 2686 
  • 原装现货 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • 2SA1121SCTL-E
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 856000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市华台微科技有限公司

    8

    13670501151谢文舟深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦银都25G11016796

  • 2SA1121SCTL-E
  • RENESAS 
  •  
  • 23+ 
  • 20000 
  • 原装正品一站式配单 

  • 深圳市德州众泰科技有限公司

    16

    0755-8257535113360063783廖小姐深圳市福田区汉国中心55楼11012385

  • 2SA1121SCTL-E
  • 原厂 
  •  
  • 21+ 
  • 16800 
  • 原装正品现货 

  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

    16

    0755-8279089118126117392陈玲玲18126117392深圳市福田区汉国中心55楼11010821

  • 2SA1121SCTL-E
  • renesas 
  • SOT-23 
  • 最新批次 
  • 13250 
  • 绝对原装正品 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • 2SA1121SCTL-E
  • RENESAS/瑞萨 
  • SOT23 
  • 最新批? 
  • 15233 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • 2SA1121SCTL-E
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 21500 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!! 

  • 深圳市新启创电子科技有限公司

    6

    0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

  • 2SA1121SCTL-E
  • RENESASELECTRONICSCORP 
  • 原厂原装 
  • 21+ 
  • 12000 
  • 全新原装库存实单价优支持 

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R07DS0271EJ0300 Rev.3.00 Page 1 of 4
Mar 28, 2011
Preliminary Datasheet
2SA1121
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency amplifier
Complementary pair with 2SC2618
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collecto
r
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage V
CBO
–35 V
Collector to emitter voltage V
CEO
–35 V
Emitter to base voltage V
EBO
–4 V
Collector current I
C
–500 mA
Collector power dissipation P
C
150 mW
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature Tstg –55 to +150 °C
R07DS0271EJ0300
(Previous: REJ03G0636-0200)
Rev.3.00
Mar 28, 2011
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