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2N7002KDU

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型号: 2N7002KDU
PDF文件:
  • 2N7002KDU PDF文件
  • 2N7002KDU PDF在线浏览
功能描述: N Channel MOSFET ESD Protected 2000V
PDF文件大小: 372.74 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝2N7002KDU
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型号
品牌
封装
批号
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询价
  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2N7002KDU
  • HAM汉姆 
  • US6 
  • 2021+ 
  • 85580 
  • 原装现货样品可出 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016819

  • 2N7002KDU
  • KEC-株式会社 
  • US6 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:18800 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

PDF页面索引
120%
2013. 7. 19 1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N7002KDU
N Channel MOSFET
ESD Protected 2000V
Revision No : 1
INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
ESD Protected 2000V.
High density cell design for low R
DS(ON)
.
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capablity.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM MILLIMETERS
A
B
D
G
US6
2.00 0.20
1.25 0.1
2.1 0.1
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
0.9 0.1
0.65
0.15+0.1/-0.05
B1
H
C
T
G
1
3
2
B
B1
D
A
H
T
6
4
C
C
A1
1.3 0.1A1
5
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
1. Q SOURCE
4. Q SOURCE
3. Q DRAIN
5. Q GATE
6. Q DRAIN
1
2
2. Q GATE
1
1
2
2
12 3
65 4
DU
12 3
456
Lot No.
Type Name
EQUIVALENT CIRCUIT
Marking
Note 1) Pulse Width 10 , Duty Cycle 1%
Note 2) Surface Mounted on 2
2 FR4 Board
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
60 V
Gate-Source Voltage
V
GSS
20
V
Drain Current
Continuous
I
D
300
mA
Pulsed
(Note 1)
I
DP
1200
Drain Power Dissipation
(Note 2)
P
D
270 mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 2)
R
thJA
460
/W
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