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2N7000

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型号: 2N7000
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功能描述: FIELD EFFECT TRANSISTOR
PDF文件大小: 68.5 Kbytes
PDF页数: 共4页
制造商: KEC[KEC(Korea Electronics)]
制造商LOGO: KEC[KEC(Korea Electronics)] LOGO
制造商网址: http://www.keccorp.com
捡单宝2N7000
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  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

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  • 深圳市威雅利发展有限公司

    7

    1812404712018124047120韩雪华强北路1019号华强广场A16楼01012660

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  • 奋钧智能(深圳)科技有限公司

    5

    0755-83229740/07552871170915773539469王小姐0755-82787892深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD一期A座130611015545

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    16

    0755-8891779715818562499李先生0735-82526223深圳市福田区华强北赛格广场26楼260711015683

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  • 深圳市万政电子有限公司

    5

    1894879463618948794636欧阳先生深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20611015968

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  • On 
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  • 2000 
  • 原装现货 

  • 深圳市聚福恒达科技有限公司

    12

    86-1588938520815889385208曾先生深圳市福田区华强北新亚洲电子城一期2A141号01016606

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  • FSC/ON 
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  • 苏州芯华胜半导体科技有限公司

    5

    400651575815366223933向翱江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼11016001

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  • 支持实单.欢迎来撩 

  • 深圳欧芯亿电子科技有限公司

    4

    1866496277518664962775欧阳小姐,elen深圳市福田区华匀大厦2栋528室11016860

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  • MicrochipTechnology/Atmel 
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  • 深圳市科芯半导体有限公司

    6

    0755-83233639,0755-8322270113975536999,13923782674吴先生,刘先生深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B11013635

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  • ONSemiconductor 
  • 原装 
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  • 深圳市成源运利电子科技有限公司

    8

    159-1399248015913992480林先生深圳市福田区华强路东方时代广场A270511012130

  • 2N7000LT1G
  • ON 
  • SOT-23 
  • 19+ROHS 
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  • 全新原装现货,假一赔十 

  • 深圳市言叶科技有限公司

    4

    1767309303717673093037刘新深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-211016144

  • 2N7000
  • onsemi(安森美) 
  • TO-92-3 
  • 最新批次 
  • 20000 
  • 原装现货 , 可开票 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • 2N7000
  • ON/安森美 
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  • 深圳市星辰微电科技有限公司

    4

    0755-8271327919230195608雷先生深圳市福田区华强北街道华航社区华强北 路3011号上步工业区102栋东600411016760

  • 2N7000
  • ON 
  • TO-92-3 
  • 24+ 
  • 25000 
  • ON全系列可订货 

  • 深圳市博浩通科技有限公司

    14

    0755-82811430,0755-8281809115989349634,13798567707朱丽娜0755-82818458华强北宝华大厦A座80811012649

  • 2N7000
  • ON(安森美) 
  • TO-92(TO-92-3) 
  • new 
  • 6586 
  • 全新原装,代理销售。 

  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • 2N7000
  • 原装FSC 
  • TO-92 
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  • 天卓伟业★原厂正规渠道★免费提供样品 

  • 深圳市科思奇电子科技有限公司

    16

    0755-8324505018923762408 “13538131418”张小姐0755-82785939上步工业区501栋1109-1110科思奇电子公司主要经营:AD、ST、ATMEL、ALTERA、ON、XILINX、CY、IR、TI等知名品牌11011913

  • 2N7000
  • FAIRCHILD/仙童 
  • TO92 
  • 21+ 
  • 5000 
  • 全新原装现货 

  • 深圳市佳威星科技有限公司

    7

    0755-8304591013724343501胡小姐深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C11015705

  • 2N7000
  • ONSEMI 
  •  
  • 24+ 
  • 15860 
  • 全新原装正品! 

  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

    6

    0755-2296858113728619986谢小姐华强北电子科技大厦C座18C211013560

  • 2N7000
  • STMicroelectronics 
  • 原装 
  • 21+/22+ 
  • 6800 
  • 十年芯路,只做原装 

  • 深圳振宏微科技有限公司

    6

    0755-82577267133429715510755-83951201振兴西路星火工场(305栋)4c02深圳市振宏微科技有限公司11013449

  • 2N7000
  • onsemi(安森美) 
  • TO-92-3 
  • 23+ 
  • 300000 
  • 公司只做原装现货库存! 

  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

    16

    0755-8279089118126117392陈玲玲18126117392深圳市福田区汉国中心55楼11010821

  • 2N7000
  • ONSemiconductor 
  • 原装 
  • 最新批次 
  • 13250 
  • 绝对原装正品 

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120%
2009. 11. 17 1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N7000
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Revision No : 2
INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
High density cell design for low R
DS(ON)
.
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capablity.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
TO-92
DIM MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1 2
3
B
AJ
K
G
H
F
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAXM
1.00N
1. SOURCE
2. GATE
3. DRAIN
+
_
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
60 V
Gate-Source Voltage
V
GSS
20
V
Drain Current
Continuous
I
D
500
mA
Pulsed
(Note 1)
I
DP
2000
Drain Power Dissipation
P
D
625 mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55 150
D
G
S
EQUIVALENT CIRCUIT
Note 1) Pulse Width 10 , Duty Cycle 1%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
V
GS
=0V, I
D
=10 A
60 - - V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=60V, V
GS
=0V
- - 1
A
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSF
V
GS
=20V, V
DS
=0V
- - 100 nA
Gate-Body Leakage, Reverse
I
GSSR
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
- - -100 nA
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.
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