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0R8GU41

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型号: 0R8GU41
PDF文件:
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功能描述: TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
PDF文件大小: 131.06 Kbytes
PDF页数: 共3页
制造商: TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
制造商LOGO: TOSHIBA[Toshiba Semiconductor] LOGO
制造商网址: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
捡单宝0R8GU41
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    0755-82777855,0755-8270261913510175077刘先生,李小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋60311012553

  • 0R8GU41(Q)
  • TOSHIBACORP 
  • 原厂原装 
  • 22  
  • 30000 
  • 代理原装现货,价格优势 

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120%
0R8GU41
2002-09-17
1
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
0R8GU41
HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS
(FAST RECOVERY)
l Average Forward Current : I
F (AV)
= 0.8A (Ta = 40°C)
l Repetitive Peak Reverse Voltage : V
RRM
= 400V
l Reverse Recovery Time : t
rr
= 100ns (Max)
l Plastic Mold Type
MAXIMUM RATINGS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Repetitive Peak Reverse Voltage V
RRM
400 V
Average Forward Current
(Ta = 40°C)
I
F (AV)
0.8 A
30 (50H
z
)
Peak One Cycle Surge Forward
Current (NonRepetitive)
I
FSM
33 (60H
z
)
A
Junction Temperature T
j
40~150 °C
Storage Temperature Range T
stg
40~150 °C
ELECTRICAL CH ARACTERISTICS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN MAX UNIT
Peak Forward Voltage V
FM
I
FM
= 1.0A 1.5 V
Repetitive Peak Reverse Current I
RRM
V
RRM
= 400V 50 µA
Reverse Recovery Time t
rr
I
F
= 1.0A, di / dt = 30A / µs 100 ns
Forward Recovery Time t
fr
I
F
= 1.0A 200 ns
Thermal Resistance R
th (ja)
Junction to Ambient 115 °C / W
Thermal Resistance R
th (j−ℓ)
Junction to Lead 45 °C / W
MARKING
Unit: mm
JEDEC DO41
JEITA
TOSHIBA 33C1A
Weight: 0.3g
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